低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法
原创来源：北检院 发布时间：2024-12-14 04:26:41 点击数：
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GB/T 34481-2017
低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度（EPD）的测量方法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2017-10-14
- 【CCS分类】H25金属化学性能试验方法
- 【ICS分类】77.040金属材料试验
GB/T 5252-2006
锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2006-07-18
- 【CCS分类】H17半金属及半导体材料分析方法
- 【ICS分类】77.040.01金属材料试验综合
GB/T 5252-1985
锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】1985-07-22
- 【CCS分类】H21金属物理性能试验方法
- 【ICS分类】77.040金属材料试验
检测流程
1、确认客户委托，寄样。
2、到样之后，确定具体的试验项目以及试验方案。
3、实验室报价。
4、签订保密协议，进行试验。
5、完成试验，确定检测报告
6、后期技术服务
友情提示：暂不接受个人委托测试
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