低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法
GB/T 34481-2017
低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度（EPD）的测量方法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2017-10-14
- 【CCS分类】H25金属化学性能试验方法
- 【ICS分类】77.040金属材料试验
GB/T 5252-2006
锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2006-07-18
- 【CCS分类】H17半金属及半导体材料分析方法
- 【ICS分类】77.040.01金属材料试验综合
GB/T 5252-1985
锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】1985-07-22
- 【CCS分类】H21金属物理性能试验方法
- 【ICS分类】77.040金属材料试验
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