重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
原创来源：北检院 发布时间：2024-12-14 09:49:20 点击数：
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GB/T 14847-2010
重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2011-01-10
- 【CCS分类】H80半金属与半导体材料综合
- 【ICS分类】29.045半导体材料
GB/T 14847-1993
重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】1993-12-24
- 【CCS分类】H21金属物理性能试验方法
- 【ICS分类】29.045半导体材料
20240143-T-469
重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的测试 红外反射法
- 【发布单位或类别】 CN-PLAN国家标准计划
- 【发布日期】2024-03-25
- 【CCS分类】元素半导体材料
- 【ICS分类】77.040金属材料试验
ASTM F95-89(2000)
使用红外分散分光光度计的重掺杂硅衬底上的轻掺杂硅外延层厚度的标准测试方法（2003年提出）
- 【发布单位或类别】 US-ASTM美国材料与试验协会
- 【发布日期】2000-01-01
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】29.045半导体材料
T/IAWBS 007-2018
4H 碳化硅同质外延层厚度的红外反射测量方法
- 【发布单位或类别】 CN-TUANTI团体标准
- 【发布日期】2018-12-06
- 【CCS分类】H82
- 【ICS分类】29.045半导体材料
检测流程
1、确认客户委托，寄样。
2、到样之后，确定具体的试验项目以及试验方案。
3、实验室报价。
4、签订保密协议，进行试验。
5、完成试验，确定检测报告
6、后期技术服务
友情提示：暂不接受个人委托测试
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