管壳额定开关用场效应晶体管-空白详细规范
原创来源：北检院 发布时间：2024-12-16 21:06:33 点击数：
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GB/T 15449-1995
管壳额定开关用场效应晶体管 空白详细规范
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】1995-01-05
- 【CCS分类】L44场效应器件
- 【ICS分类】31.080.99其他半导体分立器件
BS QC 750114:1996
电子元件质量评定协调体系 半导体器件 离散设备 场效应晶体管 开关用外壳额定场效应晶体管空白详细规范
- 【发布单位或类别】 GB-BSI英国标准学会
- 【发布日期】1996-12-15
- 【CCS分类】半导体三极管
- 【ICS分类】三极管
GB/T 6219-1998
半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 第一篇 1 GHz、5 W以下的单栅场效应晶体管 空白详细规范
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】1998-11-17
- 【CCS分类】L42半导体二极管
- 【ICS分类】31.080.30三极管
GB/T 21039.1-2007
半导体器件 分立器件 第4-1部分：微波二极管和晶体管 微波场效应晶体管空白详细规范
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2007-06-29
- 【CCS分类】L41场效应器件
- 【ICS分类】31.080.30其他半导体分立器件
GB/T 15450-1995
硅双栅场效应晶体管 空白详细规范
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】1995-01-05
- 【CCS分类】L44场效应器件
- 【ICS分类】31.080.99三极管
SJ/T 9014.8.2-2018
半导体器件 分立器件第8-2部分：超结金属氧化物半导体场效应晶体管空白详细规范
- 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
- 【发布日期】2018-04-30
- 【CCS分类】L44场效应器件
- 【ICS分类】31.080.30三极管
SJ 2748-1987
微波低噪声单栅场效应晶体管空白详细规范
- 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
- 【发布日期】1987-02-10
- 【CCS分类】L44
- 【ICS分类】三极管
BS QC 750112:1988
电子元件质量评定协调体系规范 空白详细规范 半导体器件 离散设备 场效应晶体管 5W和1GHz以下单栅场效应晶体管空白详细规范
- 【发布单位或类别】 GB-BSI英国标准学会
- 【发布日期】1988-12-15
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】三极管
IEC 60747-8-3:1995
半导体器件.分立器件.第8部分:场效应晶体管.第3节:开关用额定情况场效应晶体管空白详细规范
- 【发布单位或类别】 IX-IEC国际电工委员会
- 【发布日期】1995-04-20
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】31.080.30三极管
IEC 60747-8-2:1993
半导体器件.分立器件.第8部分:场效应晶体管.第2节:额定功率放大器用场效应晶体管空白详细规范
- 【发布单位或类别】 IX-IEC国际电工委员会
- 【发布日期】1993-02-15
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】31.080.30二极管
BS QC 750106:1993
电子元件质量评定协调体系规范 半导体分立器件 空白详细规范 用于外壳额定功率放大器应用的场效应晶体管
- 【发布单位或类别】 GB-BSI英国标准学会
- 【发布日期】1993-07-15
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】
BS EN 150012:1993
电子元件质量评定协调体系规范 空白详细规范:单栅场效应晶体管
- 【发布单位或类别】 GB-BSI英国标准学会
- 【发布日期】1978-02-15
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】
KS C IEC 60747-4-1-2002(2017)
半导体器件分立器件第4－1部分:微波二极管和晶体管微波场效应晶体管空白详细规范
- 【发布单位或类别】 KR-KS韩国标准
- 【发布日期】2002-12-31
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】31.080.30
QJ 2617-1994
微波场效应晶体管(微波FET)管壳验收规范
- 【发布单位或类别】 CN-QJ行业标准-航天
- 【发布日期】1994-03-26
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】
IEC 60747-8-4:2004
分立半导体器件.第8-4部分:功率开关用金属氧化物半导体场效应晶体管
- 【发布单位或类别】 IX-IEC国际电工委员会
- 【发布日期】2004-09-24
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】31.080.30
IEC 60147-2G:1975
补充G——半导体器件的基本额定值和特性以及测量方法的一般原理- 第2部分:测量方法的一般原理第4章:场效应晶体管
- 【发布单位或类别】 IX-IEC国际电工委员会
- 【发布日期】1975-01-01
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】31.080.10
检测流程
1、确认客户委托，寄样。
2、到样之后，确定具体的试验项目以及试验方案。
3、实验室报价。
4、签订保密协议，进行试验。
5、完成试验，确定检测报告
6、后期技术服务
友情提示：暂不接受个人委托测试
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