硅双栅场效应晶体管-空白详细规范
原创来源：北检院 发布时间：2024-12-16 21:15:05 点击数：
全国服务领域：河北、山西、黑龙江、吉林、辽宁、江苏、浙江、安徽、福建、江西、山东、河南、湖北、湖南、广东、海南、四川、贵州、云南、陕西、甘肃、青海、台湾、内蒙古、广西、西藏、宁夏、新疆、北京、天津、上海、重庆、香港、澳门
GB/T 15450-1995
硅双栅场效应晶体管 空白详细规范
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】1995-01-05
- 【CCS分类】L44场效应器件
- 【ICS分类】31.080.99其他半导体分立器件
GB/T 15449-1995
管壳额定开关用场效应晶体管 空白详细规范
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】1995-01-05
- 【CCS分类】L44场效应器件
- 【ICS分类】31.080.99其他半导体分立器件
GB/T 6219-1998
半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 第一篇 1 GHz、5 W以下的单栅场效应晶体管 空白详细规范
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】1998-11-17
- 【CCS分类】L42半导体三极管
- 【ICS分类】31.080.30三极管
GB/T 21039.1-2007
半导体器件 分立器件 第4-1部分：微波二极管和晶体管 微波场效应晶体管空白详细规范
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2007-06-29
- 【CCS分类】L41半导体二极管
- 【ICS分类】31.080.30三极管
SJ 20231-1993
国洋双栅场效应晶体管Yfs测试仪检定规程
- 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
- 【发布日期】1993-02-09
- 【CCS分类】场效应器件
- 【ICS分类】三极管
SJ 20232-1993
国洋双栅场效应晶体管Gp参数测试仪检定规程
- 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
- 【发布日期】1993-02-09
- 【CCS分类】场效应器件
- 【ICS分类】
SJ 50033.51-1994
半导体分立器件CS0558型砷化镓微波双栅场效应晶体管详细规范
- 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
- 【发布日期】1994-09-30
- 【CCS分类】L44场效应器件
- 【ICS分类】
SJ/T 9014.8.2-2018
半导体器件 分立器件第8-2部分：超结金属氧化物半导体场效应晶体管空白详细规范
- 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
- 【发布日期】2018-04-30
- 【CCS分类】L44半导体三极管
- 【ICS分类】31.080.30
SJ 2748-1987
微波低噪声单栅场效应晶体管空白详细规范
- 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
- 【发布日期】1987-02-10
- 【CCS分类】L44半导体三极管
- 【ICS分类】
SJ 50033/85-1995
半导体分立器件 ＣＳ１４１型硅Ｎ沟道ＭＯＳ耗尽型场效应晶体管详细规范
- 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
- 【发布日期】1995-05-25
- 【CCS分类】L42半导体三极管
- 【ICS分类】
SJ 50033/84-1995
半导体分立器件 ＣＳ１４０型硅Ｎ沟道ＭＯＳ耗尽型场效应晶体管详细规范
- 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
- 【发布日期】1995-05-25
- 【CCS分类】L42半导体三极管
- 【ICS分类】
SJ 20061-1992
半导体分立器件 ＣＳ１４６型硅Ｎ沟道耗尽型场效应晶体管详细规范
- 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
- 【发布日期】1992-11-19
- 【CCS分类】L42半导体三极管
- 【ICS分类】
SJ 50033/83-1995
半导体分立器件 ＣＳ１３９型硅Ｐ沟道ＭＯＳ增强型场效应晶体管详细规范
- 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
- 【发布日期】1995-05-25
- 【CCS分类】L42半导体三极管
- 【ICS分类】
SJ 50033/122-1997
半导体分立器件CS3684~CS3687型硅N沟道结型场效应晶体管详细规范
- 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
- 【发布日期】1997-06-17
- 【CCS分类】场效应器件
- 【ICS分类】
SJ 50033/121-1997
半导体分立器件CS3458~CS3460型硅N沟道结型场效应晶体管详细规范
- 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
- 【发布日期】1997-06-17
- 【CCS分类】半导体三极管
- 【ICS分类】
SJ 50033/87-1995
半导体分立器件 ＣＳ４０９１～ＣＳ４０９３型硅Ｎ沟道耗尽型场效应晶体管详细规范
- 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
- 【发布日期】1995-05-25
- 【CCS分类】L42半导体三极管
- 【ICS分类】
SJ 50033/86-1995
半导体分立器件 ＣＳ５１１４～ＣＳ５１１６型硅Ｐ沟道耗尽型场效应晶体管详细规范
- 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
- 【发布日期】1995-05-25
- 【CCS分类】L42
- 【ICS分类】
SJ 50033/38-1994
半导体分立器件 ＣＳ４８５６～ＣＳ４８６１型硅Ｎ沟道耗尽型场效应晶体管详细规范
- 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
- 【发布日期】1994-09-30
- 【CCS分类】L44
- 【ICS分类】
SJ 50033/89-1995
半导体分立器件 ＣＳ６７６８和ＣＳ６７７０型硅Ｎ沟道增强型场效应晶体管详细规范
- 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
- 【发布日期】1995-05-25
- 【CCS分类】L42
- 【ICS分类】
SJ 50033/88-1995
半导体分立器件 ＣＳ６７６０和ＣＳ６７６２型硅Ｎ沟道增强型场效应晶体管详细规范
- 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
- 【发布日期】1995-05-25
- 【CCS分类】L42
- 【ICS分类】
检测流程
1、确认客户委托，寄样。
2、到样之后，确定具体的试验项目以及试验方案。
3、实验室报价。
4、签订保密协议，进行试验。
5、完成试验，确定检测报告
6、后期技术服务
友情提示：暂不接受个人委托测试
以上是关于"硅双栅场效应晶体管-空白详细规范"的介绍，如有其他问题可以咨询工程师为您服务！
实验室仪器
荣誉资质
服务项目
SERVICE PROJECT
