硅单晶电阻率测定方法

原创来源:北检院    发布时间:2024-12-17 01:27:38    点击数:

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GB/T 1551-2009

硅单晶电阻率测定方法

  • 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
  • 【发布日期】2009-10-30
  • 【CCS分类】H80半金属与半导体材料综合
  • 【ICS分类】29.045半导体材料

GB/T 42271-2022

半绝缘碳化硅单晶的电阻率非接触测试方法

  • 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
  • 【发布日期】2022-12-30
  • 【CCS分类】H21金属物理性能试验方法
  • 【ICS分类】77.040金属材料试验

GB/T 1551-2021

硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法

  • 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
  • 【发布日期】2021-05-21
  • 【CCS分类】H21金属物理性能试验方法
  • 【ICS分类】77.040金属材料试验

JJF 1760-2019

硅单晶电阻率标准样片校准规范

  • 【发布单位或类别】 CN-JJF国家计量技术规范
  • 【发布日期】2019-09-27
  • 【CCS分类】半金属与半导体材料综合
  • 【ICS分类】半导体材料

GB/T 13389-2014

掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程

  • 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
  • 【发布日期】2014-12-31
  • 【CCS分类】H80工厂防火防爆安全技术
  • 【ICS分类】29.045防爆

GB/T 16427-2018

粉尘层电阻率测定方法

  • 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
  • 【发布日期】2018-12-28
  • 【CCS分类】C67焦炭
  • 【ICS分类】13.230固体燃料

JJG 48-2004

硅单晶电阻率标准样片

  • 【发布单位或类别】 CN-JJG国家计量检定规程
  • 【发布日期】2004-09-21
  • 【CCS分类】炭素材料
  • 【ICS分类】导体材料

GB/T 24521-2018

炭素原料和焦炭电阻率测定方法

  • 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
  • 【发布日期】2018-05-14
  • 【CCS分类】H32金属物理性能试验方法
  • 【ICS分类】75.160.10集成电路、微电子学

GB/T 24525-2009

炭素材料电阻率测定方法

  • 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
  • 【发布日期】2009-10-30
  • 【CCS分类】Q52炭素材料
  • 【ICS分类】29.050半导体材料

GB/T 11297.7-1989

锑化铟单晶电阻率及霍耳系数的测试方法

  • 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
  • 【发布日期】1989-03-31
  • 【CCS分类】L32金属物理性能试验方法
  • 【ICS分类】31.200导体材料

GB/T 13389-1992

掺硼掺磷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程

  • 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
  • 【发布日期】1992-02-19
  • 【CCS分类】H21焦炭
  • 【ICS分类】29.045金属材料化学分析

YB/T 6044-2022

炭素材料热态电阻率测定方法

  • 【发布单位或类别】 CN-YB行业标准-黑色冶金
  • 【发布日期】2022-09-30
  • 【CCS分类】Q52金属物理性能试验方法
  • 【ICS分类】29.050固体燃料

GB/T 1551-1995

硅、锗单晶电阻率测定 直流两探针法

  • 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
  • 【发布日期】1995-04-18
  • 【CCS分类】H21煤炭分析方法
  • 【ICS分类】77.040.30金属材料化学分析

GB/T 24521-2009

焦炭电阻率测定方法

  • 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
  • 【发布日期】2009-10-30
  • 【CCS分类】H32金属理化性能试验方法
  • 【ICS分类】75.160.10煤

GB/T 1552-1995

硅、锗单晶电阻率测定 直排四探针法

  • 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
  • 【发布日期】1995-04-18
  • 【CCS分类】H21金属理化性能试验方法
  • 【ICS分类】77.040.30半导体材料

MT/T 736-1997

无烟煤电阻率测定方法

  • 【发布单位或类别】 CN-MT行业标准-煤炭
  • 【发布日期】1997-12-12
  • 【CCS分类】D21卫生、安全、劳动保护
  • 【ICS分类】73.040半导体材料

T/IAWBS 013-2019

半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法

  • 【发布单位或类别】 CN-TUANTI团体标准
  • 【发布日期】2019-12-27
  • 【CCS分类】H20/29炭素材料
  • 【ICS分类】29.045道路车辆装置

T/IAWBS 011-2019

导电碳化硅单晶片电阻率测量方法—非接触涡流法

  • 【发布单位或类别】 CN-TUANTI团体标准
  • 【发布日期】2019-12-27
  • 【CCS分类】H20/29
  • 【ICS分类】29.045导体材料

GB/T 16427-1996

粉尘层电阻率测定方法

  • 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
  • 【发布日期】1996-06-04
  • 【CCS分类】D09
  • 【ICS分类】43.040

YS/T 64-1993

铝电解用炭素制品电阻率测定方法

  • 【发布单位或类别】 CN-YS行业标准-有色金属
  • 【发布日期】1993-03-17
  • 【CCS分类】Q52
  • 【ICS分类】29.050

检测流程

1、确认客户委托,寄样。

2、到样之后,确定具体的试验项目以及试验方案。

3、实验室报价。

4、签订保密协议,进行试验。

5、完成试验,确定检测报告

6、后期技术服务

友情提示:暂不接受个人委托测试

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