硅单晶电阻率的测定-直排四探针法和直流两探针法
原创来源：北检院 发布时间：2024-12-17 01:30:01 点击数：
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GB/T 1551-2021
硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2021-05-21
- 【CCS分类】H21金属物理性能试验方法
- 【ICS分类】77.040金属材料试验
GB/T 1552-1995
硅、锗单晶电阻率测定 直排四探针法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】1995-04-18
- 【CCS分类】H21金属物理性能试验方法
- 【ICS分类】77.040.30金属材料化学分析
GB/T 1551-1995
硅、锗单晶电阻率测定 直流两探针法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】1995-04-18
- 【CCS分类】H21金属物理性能试验方法
- 【ICS分类】77.040.30金属材料化学分析
DB13/T 5026.3-2019
石墨烯导电浆料物理性质的测定方法 第3部分：浆料极片电阻率的测定 四探针法
- 【发布单位或类别】 CN-DB13河北省地方标准
- 【发布日期】2019-07-04
- 【CCS分类】G13氧化物、单质
- 【ICS分类】59.100.20碳纤维材料
\u0413\u041e\u0421\u0422 24392-80
单晶硅和锗 通过四探针法测量电阻率
- 【发布单位或类别】 RU-GOST俄罗斯国家标准
- 【发布日期】
- 【CCS分类】H21金属物理性能试验方法
- 【ICS分类】77.120.99其他有色金属及其合金
检测流程
1、确认客户委托，寄样。
2、到样之后，确定具体的试验项目以及试验方案。
3、实验室报价。
4、签订保密协议，进行试验。
5、完成试验，确定检测报告
6、后期技术服务
友情提示：暂不接受个人委托测试
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