硅和锗体内少数载流子寿命的测定-光电导衰减法
原创来源：北检院 发布时间：2024-12-17 02:37:16 点击数：
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GB/T 1553-2023
硅和锗体内少数载流子寿命的测定 光电导衰减法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2023-08-06
- 【CCS分类】H21金属物理性能试验方法
- 【ICS分类】77.040金属材料试验
GB/T 1553-2009
硅和锗体内少数载流子寿命测定 光电导衰减法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2009-10-30
- 【CCS分类】H80半金属与半导体材料综合
- 【ICS分类】29.045半导体材料
GB/T 1553-1997
硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】1997-06-03
- 【CCS分类】H21金属物理性能试验方法
- 【ICS分类】77.040.01金属材料试验综合
ASTM F28-91(1997)
硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法
- 【发布单位或类别】 US-ASTM美国材料与试验协会
- 【发布日期】1997-06-10
- 【CCS分类】金属物理性能试验方法
- 【ICS分类】29.045半导体材料
ASTM F28-02
通过测量光电导率衰减的批量锗和硅中少数载流子寿命的标准测试方法（2003年撤回）
- 【发布单位或类别】 US-ASTM美国材料与试验协会
- 【发布日期】2002-12-10
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】29.045半导体材料
GB/T 26068-2018
硅片和硅锭载流子复合寿命的测试 非接触微波反射光电导衰减法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2018-12-28
- 【CCS分类】H21
- 【ICS分类】77.040金属材料试验
KS D 0265-1989(2019)
通过光电导衰减法测量锗中少数载流子寿命
- 【发布单位或类别】 KR-KS韩国标准
- 【发布日期】1989-12-19
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】29.045半导体材料
KS D 0257-2002(2017)
载流子寿命单晶硅BY光电导衰减法 - 少数民族MEASURING
- 【发布单位或类别】 KR-KS韩国标准
- 【发布日期】2002-05-29
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】29.045半导体材料
T/CASAS 026-2023
碳化硅少数载流子寿命测定微波光电导衰减法
- 【发布单位或类别】 CN-TUANTI团体标准
- 【发布日期】2023-06-19
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】半导体材料
KS D 0257-2002(2022)
光电导衰减法测量硅单晶中的少数载流子寿命
- 【发布单位或类别】 KR-KS韩国标准
- 【发布日期】2002-05-29
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】29.045
JIS H 0603:1978
用光电导衰减法测量锗中的少子寿命
- 【发布单位或类别】 JP-JSA日本工业标准调查会
- 【发布日期】1978-01-01
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】
检测流程
1、确认客户委托，寄样。
2、到样之后，确定具体的试验项目以及试验方案。
3、实验室报价。
4、签订保密协议，进行试验。
5、完成试验，确定检测报告
6、后期技术服务
友情提示：暂不接受个人委托测试
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