半导体单晶晶向测定方法
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GB/T 1555-2023
半导体单晶晶向测定方法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2023-08-06
- 【CCS分类】H21金属物理性能试验方法
- 【ICS分类】77.040金属材料试验
GB/T 1555-2009
半导体单晶晶向测定方法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2009-10-30
- 【CCS分类】H80半金属与半导体材料综合
- 【ICS分类】29.045半导体材料
GB/T 1555-1997
半导体单晶晶向测定方法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】1997-12-22
- 【CCS分类】H21金属物理性能试验方法
- 【ICS分类】29.045半导体材料
GB/T 39137-2020
难熔金属单晶晶向测定方法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2020-10-11
- 【CCS分类】H26金属无损检验方法
- 【ICS分类】77.040.20金属材料无损检测
GB/T 34210-2017
蓝宝石单晶晶向测定方法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2017-09-07
- 【CCS分类】H21金属物理性能试验方法
- 【ICS分类】77.040金属材料试验
ASTM F26-87a(1999)
确定半导体单晶取向的标准测试方法（2003年）
- 【发布单位或类别】 US-ASTM美国材料与试验协会
- 【发布日期】1999-01-01
- 【CCS分类】金属物理性能试验方法
- 【ICS分类】29.045半导体材料
GB/T 42676-2023
半导体单晶晶体质量的测试 X射线衍射法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2023-08-06
- 【CCS分类】H21半金属及半导体材料分析方法
- 【ICS分类】77.040金属材料试验
ASTM F76-08(2016)
测量单晶半导体电阻率和霍尔系数及测定霍尔迁移率的标准试验方法
- 【发布单位或类别】 US-ASTM美国材料与试验协会
- 【发布日期】2016-05-01
- 【CCS分类】金属物理性能试验方法
- 【ICS分类】29.045半导体材料
ASTM F76-08(2016)e1
测量单晶半导体电阻率和霍尔系数及测定霍尔迁移率的标准试验方法
- 【发布单位或类别】 US-ASTM美国材料与试验协会
- 【发布日期】2016-05-01
- 【CCS分类】电子元器件与信息技术
- 【ICS分类】29.045半导体材料
ASTM F76-08
测量单晶半导体电阻率和霍尔系数及测定霍尔迁移率的标准试验方法
- 【发布单位或类别】 US-ASTM美国材料与试验协会
- 【发布日期】2008-06-15
- 【CCS分类】电子元器件与信息技术
- 【ICS分类】29.045半导体材料
ASTM F76-86(1996)e1
测量单晶半导体电阻率和霍尔系数及测定霍尔迁移率的标准试验方法
- 【发布单位或类别】 US-ASTM美国材料与试验协会
- 【发布日期】1986-10-31
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】半导体材料
ASTM F76-86(2002)
测量单晶半导体电阻率和霍尔系数及测定霍尔迁移率的标准试验方法
- 【发布单位或类别】 US-ASTM美国材料与试验协会
- 【发布日期】1986-10-31
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】29.045金属材料试验综合
GB/T 4326-2006
非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2006-07-18
- 【CCS分类】H17
- 【ICS分类】77.040.01金属材料试验
20231111-T-469
半导体单晶材料透过率测试方法
- 【发布单位或类别】 CN-PLAN国家标准计划
- 【发布日期】2023-12-01
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】77.040金属材料试验
GB/T 24578-2024
半导体晶片表面金属沾污的测定 全反射X射线荧光光谱法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2024-07-24
- 【CCS分类】H21
- 【ICS分类】77.040集成电路、微电子学
T/CEMIA 023-2021
半导体单晶硅生长用石英坩埚
- 【发布单位或类别】 CN-TUANTI团体标准
- 【发布日期】2021-07-15
- 【CCS分类】L
- 【ICS分类】31.200半导体材料
T/ICMTIA CM0038-2024
半导体硅单晶生产用高纯石英坩埚
- 【发布单位或类别】 CN-TUANTI团体标准
- 【发布日期】2024-04-25
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】29.045金属材料试验综合
20233951-T-610
非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法
- 【发布单位或类别】 CN-PLAN国家标准计划
- 【发布日期】2023-12-28
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】77.040.01半导体材料
T/NXCL 28-2024
半导体级单晶硅生长用合成石英坩埚
- 【发布单位或类别】 CN-TUANTI团体标准
- 【发布日期】2024-02-06
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】29.045集成电路、微电子学
T/CEMIA 024-2021
半导体单晶硅生长用石英坩埚生产规范
- 【发布单位或类别】 CN-TUANTI团体标准
- 【发布日期】2021-07-15
- 【CCS分类】L
- 【ICS分类】31.200
