硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
原创来源：北检院 发布时间：2024-12-17 06:41:48 点击数：
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GB/T 1557-2018
硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2018-09-17
- 【CCS分类】H17半金属及半导体材料分析方法
- 【ICS分类】77.040金属材料试验
GB/T 1557-2006
硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2006-07-18
- 【CCS分类】H17半金属及半导体材料分析方法
- 【ICS分类】77.040.01金属材料试验综合
GB/T 1557-1989
硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】1989-03-31
- 【CCS分类】H21金属物理性能试验方法
- 【ICS分类】77.040.30金属材料化学分析
GB/T 14144-2009
硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2009-10-30
- 【CCS分类】H80半金属与半导体材料综合
- 【ICS分类】29.045半导体材料
SJ/T 10625-1995
锗单晶体中间隙氧含量的红外吸收测定方法
- 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
- 【发布日期】1995-04-22
- 【CCS分类】L90电子技术专用材料
- 【ICS分类】77.040金属材料试验
GB/T 14144-1993
硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】1993-02-06
- 【CCS分类】H26金属无损检验方法
- 【ICS分类】49.035航空航天制造用零部件
SJ/T 11491-2015
短基线红外吸收光谱法测量硅中间隙氧含量
- 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
- 【发布日期】2015-04-30
- 【CCS分类】H82元素半导体材料
- 【ICS分类】29.045半导体材料
SJ/T 11552-2015
以布鲁斯特角入设P偏振辐射红外吸收光谱法测量硅中间隙氧含量
- 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
- 【发布日期】2015-10-10
- 【CCS分类】H82元素半导体材料
- 【ICS分类】29.045半导体材料
检测流程
1、确认客户委托，寄样。
2、到样之后，确定具体的试验项目以及试验方案。
3、实验室报价。
4、签订保密协议，进行试验。
5、完成试验，确定检测报告
6、后期技术服务
友情提示：暂不接受个人委托测试
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