硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法

2024-12-17 06:41:48 阅读 检测标准
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ISO认证

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高新技术企业

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GB/T 1557-2018

硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法

  • 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
  • 【发布日期】2018-09-17
  • 【CCS分类】H17半金属及半导体材料分析方法
  • 【ICS分类】77.040金属材料试验

GB/T 1557-2006

硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法

  • 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
  • 【发布日期】2006-07-18
  • 【CCS分类】H17半金属及半导体材料分析方法
  • 【ICS分类】77.040.01金属材料试验综合

GB/T 1557-1989

硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法

  • 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
  • 【发布日期】1989-03-31
  • 【CCS分类】H21金属物理性能试验方法
  • 【ICS分类】77.040.30金属材料化学分析

GB/T 14144-2009

硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法

  • 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
  • 【发布日期】2009-10-30
  • 【CCS分类】H80半金属与半导体材料综合
  • 【ICS分类】29.045半导体材料

SJ/T 10625-1995

锗单晶体中间隙氧含量的红外吸收测定方法

  • 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
  • 【发布日期】1995-04-22
  • 【CCS分类】L90电子技术专用材料
  • 【ICS分类】77.040金属材料试验

GB/T 14144-1993

硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法

  • 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
  • 【发布日期】1993-02-06
  • 【CCS分类】H26金属无损检验方法
  • 【ICS分类】49.035航空航天制造用零部件

SJ/T 11491-2015

短基线红外吸收光谱法测量硅中间隙氧含量

  • 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
  • 【发布日期】2015-04-30
  • 【CCS分类】H82元素半导体材料
  • 【ICS分类】29.045半导体材料

SJ/T 11552-2015

以布鲁斯特角入设P偏振辐射红外吸收光谱法测量硅中间隙氧含量

  • 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
  • 【发布日期】2015-10-10
  • 【CCS分类】H82元素半导体材料
  • 【ICS分类】29.045半导体材料