金属氧化物半导体气敏元件总规范
原创来源：北检院 发布时间：2024-12-17 12:56:27 点击数：
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GB/T 15652-1995
金属氧化物半导体气敏元件总规范
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】1995-07-24
- 【CCS分类】L15敏感元器件及传感器
- 【ICS分类】31.020电子元器件综合
20231887-T-339
金属氧化物半导体气敏元件总规范
- 【发布单位或类别】 CN-PLAN国家标准计划
- 【发布日期】2023-12-28
- 【CCS分类】敏感元器件及传感器
- 【ICS分类】31.080半导体分立器件
SJ 20025-1992
金属氧化物半导体气敏元件总规范
- 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
- 【发布日期】1992-02-01
- 【CCS分类】L15敏感元器件及传感器
- 【ICS分类】电子元器件综合
GB/T 15653-1995
金属氧化物半导体气敏元件测试方法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】1995-07-24
- 【CCS分类】L15敏感元器件及传感器
- 【ICS分类】31.020三极管
SJ 20079-1992
金属氧化物半导体气敏元件试验方法
- 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
- 【发布日期】1992-11-19
- 【CCS分类】L15敏感元器件及传感器
- 【ICS分类】三极管
SJ 20026-1992
金属氧化物半导体气敏元件测试方法
- 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
- 【发布日期】1992-02-01
- 【CCS分类】L15半导体三极管
- 【ICS分类】半导体器分立件综合
SJ/T 11824-2022
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)等效电容和电压变化率测试方法
- 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
- 【发布日期】2022-10-20
- 【CCS分类】L42场效应器件
- 【ICS分类】31.080.30半导体器分立件综合
SJ/T 9014.8.2-2018
半导体器件 分立器件第8-2部分：超结金属氧化物半导体场效应晶体管空白详细规范
- 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
- 【发布日期】2018-04-30
- 【CCS分类】L44微电路综合
- 【ICS分类】31.080.30半导体器分立件综合
20213170-T-339
半导体器件 金属氧化物半导体（MOS） 晶体管的热载流子试验
- 【发布单位或类别】 CN-PLAN国家标准计划
- 【发布日期】2021-08-24
- 【CCS分类】L55电子元器件与信息技术
- 【ICS分类】31.080.01半导体器分立件综合
T/CECA 35-2019
金属氧化物半导体气体传感器
- 【发布单位或类别】 CN-TUANTI团体标准
- 【发布日期】2019-12-28
- 【CCS分类】L半导体分立器件综合
- 【ICS分类】31.080.01半导体分立器件
20213176-T-339
半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的可动离子试验
- 【发布单位或类别】 CN-PLAN国家标准计划
- 【发布日期】2021-08-24
- 【CCS分类】L40微电路综合
- 【ICS分类】31.080.01半导体材料
20210839-T-339
半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验
- 【发布单位或类别】 CN-PLAN国家标准计划
- 【发布日期】2021-04-30
- 【CCS分类】L55技术管理
- 【ICS分类】31.080.01半导体器分立件综合
IEC 62417:2010
半导体器件 - 金属氧化物半导体场效应晶体管（mosfets）的移动离子测试
- 【发布单位或类别】 IX-IEC国际电工委员会
- 【发布日期】2010-04-22
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】31.080三极管
BS EN 62417:2010
半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的移动离子试验
- 【发布单位或类别】 GB-BSI英国标准学会
- 【发布日期】2010-06-30
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】半导体分立器件
T/CASAS 006-2020
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范
- 【发布单位或类别】 CN-TUANTI团体标准
- 【发布日期】2020-12-28
- 【CCS分类】N01
- 【ICS分类】29.045三极管
T/CASAS 015-2022
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）功率循环试验方法
- 【发布单位或类别】 CN-TUANTI团体标准
- 【发布日期】2022-07-18
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】31.080.01
20242747-T-339
半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)可靠性试验方法 第1部分：偏置温度不稳定性试验方法
- 【发布单位或类别】 CN-PLAN国家标准计划
- 【发布日期】2024-08-23
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】31.080.30
IEC 62373:2006
金属氧化物半导体场效应晶体管（mosfet）的偏温稳定性试验
- 【发布单位或类别】 IX-IEC国际电工委员会
- 【发布日期】2006-07-18
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】31.080
BS EN 62373:2006
金属氧化物、半导体、场效应晶体管（MOSFET）的偏压温度稳定性试验
- 【发布单位或类别】 GB-BSI英国标准学会
- 【发布日期】2006-09-29
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】
20231580-T-339
半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验 第1部分：MOSFETs的快速偏置温度不稳定性试验
- 【发布单位或类别】 CN-PLAN国家标准计划
- 【发布日期】2023-12-01
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】31.080.30
检测流程
1、确认客户委托，寄样。
2、到样之后，确定具体的试验项目以及试验方案。
3、实验室报价。
4、签订保密协议，进行试验。
5、完成试验，确定检测报告
6、后期技术服务
友情提示：暂不接受个人委托测试
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