金属氧化物半导体气敏元件测试方法
原创来源：北检院 发布时间：2024-12-17 12:58:59 点击数：
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GB/T 15653-1995
金属氧化物半导体气敏元件测试方法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】1995-07-24
- 【CCS分类】L15敏感元器件及传感器
- 【ICS分类】31.020电子元器件综合
SJ 20026-1992
金属氧化物半导体气敏元件测试方法
- 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
- 【发布日期】1992-02-01
- 【CCS分类】L15敏感元器件及传感器
- 【ICS分类】电子元器件综合
GB/T 15652-1995
金属氧化物半导体气敏元件总规范
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】1995-07-24
- 【CCS分类】L15敏感元器件及传感器
- 【ICS分类】31.020半导体分立器件
SJ 20079-1992
金属氧化物半导体气敏元件试验方法
- 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
- 【发布日期】1992-11-19
- 【CCS分类】L15敏感元器件及传感器
- 【ICS分类】三极管
20231887-T-339
金属氧化物半导体气敏元件总规范
- 【发布单位或类别】 CN-PLAN国家标准计划
- 【发布日期】2023-12-28
- 【CCS分类】敏感元器件及传感器
- 【ICS分类】31.080半导体器分立件综合
SJ 20025-1992
金属氧化物半导体气敏元件总规范
- 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
- 【发布日期】1992-02-01
- 【CCS分类】L15半导体三极管
- 【ICS分类】半导体分立器件
SJ/T 11824-2022
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)等效电容和电压变化率测试方法
- 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
- 【发布日期】2022-10-20
- 【CCS分类】L42
- 【ICS分类】31.080.30
T/CASAS 016-2022
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）结壳热阻瞬态双界面测试方法
- 【发布单位或类别】 CN-TUANTI团体标准
- 【发布日期】2022-07-18
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】31.080.01
IEC 62417:2010
半导体器件 - 金属氧化物半导体场效应晶体管（mosfets）的移动离子测试
- 【发布单位或类别】 IX-IEC国际电工委员会
- 【发布日期】2010-04-22
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】31.080
检测流程
1、确认客户委托，寄样。
2、到样之后，确定具体的试验项目以及试验方案。
3、实验室报价。
4、签订保密协议，进行试验。
5、完成试验，确定检测报告
6、后期技术服务
友情提示：暂不接受个人委托测试
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