半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度红外吸收测试方法
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高新技术企业
GB/T 17170-2015
半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度红外吸收测试方法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2015-12-10
- 【CCS分类】H17半金属及半导体材料分析方法
- 【ICS分类】77.040金属材料试验
GB/T 17170-1997
非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级EL2浓度红外吸收测试方法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】1997-12-22
- 【CCS分类】H21金属物理性能试验方法
- 【ICS分类】29.045半导体材料
GB/T 19199-2015
半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2015-12-10
- 【CCS分类】H17半金属及半导体材料分析方法
- 【ICS分类】77.040金属材料试验
GB/T 19199-2003
半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2003-06-16
- 【CCS分类】H82元素半导体材料
- 【ICS分类】29.045半导体材料
SJ 3249.2-1989
半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法
- 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
- 【发布日期】1989-03-20
- 【CCS分类】L90电子技术专用材料
- 【ICS分类】
SJ 3249.4-1989
半绝缘砷化镓中ＥＬ２浓度的红外吸收测试方法
- 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
- 【发布日期】1989-03-20
- 【CCS分类】L90电子技术专用材料
- 【ICS分类】
