硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法

原创来源:北检院    发布时间:2024-12-27 19:36:21    点击数:

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GB/T 4061-2009

硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法

  • 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
  • 【发布日期】2009-10-30
  • 【CCS分类】H80半金属与半导体材料综合
  • 【ICS分类】29.045半导体材料

GB/T 4061-1983

硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法

  • 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
  • 【发布日期】1983-12-20
  • 【CCS分类】H25金属化学性能试验方法
  • 【ICS分类】77.040.30金属材料化学分析

GB/T 1554-2009

硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法

  • 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
  • 【发布日期】2009-10-30
  • 【CCS分类】H80半金属与半导体材料综合
  • 【ICS分类】29.045半导体材料

GB/T 1554-1995

硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法

  • 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
  • 【发布日期】1995-04-18
  • 【CCS分类】H26金属无损检验方法
  • 【ICS分类】77.040.30金属材料化学分析

检测流程

1、确认客户委托,寄样。

2、到样之后,确定具体的试验项目以及试验方案。

3、实验室报价。

4、签订保密协议,进行试验。

5、完成试验,确定检测报告

6、后期技术服务

友情提示:暂不接受个人委托测试

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