碳化硅单晶位错密度的测试方法
原创来源：北检院 发布时间：2024-12-30 01:34:21 点击数：
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GB/T 41765-2022
碳化硅单晶位错密度的测试方法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2022-10-12
- 【CCS分类】H21金属物理性能试验方法
- 【ICS分类】77.040金属材料试验
T/IAWBS 014-2021
碳化硅单晶抛光片位错密度的测试方法
- 【发布单位或类别】 CN-TUANTI团体标准
- 【发布日期】2021-09-15
- 【CCS分类】H17半金属及半导体材料分析方法
- 【ICS分类】29.045半导体材料
GB/T 42271-2022
半绝缘碳化硅单晶的电阻率非接触测试方法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2022-12-30
- 【CCS分类】H21金属物理性能试验方法
- 【ICS分类】77.040金属材料试验
SJ/T 11499-2015
碳化硅单晶电学性能的测试方法
- 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
- 【发布日期】2015-04-30
- 【CCS分类】H83化合物半导体材料
- 【ICS分类】29.045半导体材料
SJ/T 11500-2015
碳化硅单晶晶向的测试方法
- 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
- 【发布日期】2015-04-30
- 【CCS分类】H83化合物半导体材料
- 【ICS分类】29.045半导体材料
SJ/T 11501-2015
碳化硅单晶晶型的测试方法
- 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
- 【发布日期】2015-04-30
- 【CCS分类】H83化合物半导体材料
- 【ICS分类】29.045半导体材料
SJ/T 11504-2015
碳化硅单晶抛光片表面质量的测试方法
- 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
- 【发布日期】2015-04-30
- 【CCS分类】H83化合物半导体材料
- 【ICS分类】29.045半导体材料
20231108-T-469
碳化硅单晶片微管密度测试方法
- 【发布单位或类别】 CN-PLAN国家标准计划
- 【发布日期】2023-12-01
- 【CCS分类】化合物半导体材料
- 【ICS分类】77.040金属材料试验
20240494-T-469
碳化硅单晶抛光片堆垛层错测试方法
- 【发布单位或类别】 CN-PLAN国家标准计划
- 【发布日期】2024-03-25
- 【CCS分类】化合物半导体材料
- 【ICS分类】77.040金属材料试验
SJ/T 11503-2015
碳化硅单晶抛光片表面粗糙度的测试方法
- 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
- 【发布日期】2015-04-30
- 【CCS分类】H83化合物半导体材料
- 【ICS分类】29.045半导体材料
T/IAWBS 012-2019
碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度测试方法 ——共焦点微分干涉光学法
- 【发布单位或类别】 CN-TUANTI团体标准
- 【发布日期】2019-12-27
- 【CCS分类】H83金属物理性能试验方法
- 【ICS分类】29.045半导体材料
GB/T 30866-2014
碳化硅单晶片直径测试方法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2014-07-24
- 【CCS分类】H83金属无损检验方法
- 【ICS分类】29.045半导体材料
GB/T 32278-2015
碳化硅单晶片平整度测试方法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2015-12-10
- 【CCS分类】H21化合物半导体材料
- 【ICS分类】77.040金属材料试验
GB/T 31351-2014
碳化硅单晶抛光片微管密度无损检测方法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2014-12-31
- 【CCS分类】H26化合物半导体材料
- 【ICS分类】77.040.99金属材料的其他试验方法
GB/T 30868-2014
碳化硅单晶片微管密度的测定 化学腐蚀法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2014-07-24
- 【CCS分类】H83金属理化性能试验方法
- 【ICS分类】29.045半导体材料
GB/T 30867-2014
碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2014-07-24
- 【CCS分类】H83金属理化性能试验方法
- 【ICS分类】29.045半导体材料
20231112-T-469
碳化硅单晶片厚度和平整度测试方法
- 【发布单位或类别】 CN-PLAN国家标准计划
- 【发布日期】2023-12-01
- 【CCS分类】金属理化性能试验方法
- 【ICS分类】77.040金属材料试验
T/CASAS 013-2021
碳化硅晶片位错密度检测方法 KOH腐蚀结合图像识别法
- 【发布单位或类别】 CN-TUANTI团体标准
- 【发布日期】2021-11-01
- 【CCS分类】H20/29
- 【ICS分类】01.040词汇
T/IAWBS 016-2022
碳化硅单晶片 X 射线双晶摇 摆曲线半高宽测试方法
- 【发布单位或类别】 CN-TUANTI团体标准
- 【发布日期】2022-03-17
- 【CCS分类】H20/29
- 【ICS分类】29.045半导体材料
T/IAWBS 010-2019
碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度检测方法-激光散射检测法
- 【发布单位或类别】 CN-TUANTI团体标准
- 【发布日期】2019-12-27
- 【CCS分类】H20/29
- 【ICS分类】29.045半导体材料
检测流程
1、确认客户委托，寄样。
2、到样之后，确定具体的试验项目以及试验方案。
3、实验室报价。
4、签订保密协议，进行试验。
5、完成试验，确定检测报告
6、后期技术服务
友情提示：暂不接受个人委托测试
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