硅片氧沉淀特性的测定-间隙氧含量减少法
CMA资质认定
CNAS认可证书
ISO认证
高新技术企业
GB/T 19444-2004
硅片氧沉淀特性的测定 间隙氧含量减少法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2004-02-05
- 【CCS分类】H26金属无损检验方法
- 【ICS分类】29.040绝缘流体
20231107-T-469
硅片氧沉淀特性的测试 间隙氧含量减少法
- 【发布单位或类别】 CN-PLAN国家标准计划
- 【发布日期】2023-12-01
- 【CCS分类】电子技术专用材料
- 【ICS分类】77.040金属材料试验
SJ/T 10627-1995
通过测量间隙氧含量的减少表征硅片氧沉淀特性的方法
- 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
- 【发布日期】1995-04-22
- 【CCS分类】L90
- 【ICS分类】77.040金属材料试验
ASTM F1239-94
用间隙氧还原测定硅片氧沉淀特性的标准试验方法
- 【发布单位或类别】 US-ASTM美国材料与试验协会
- 【发布日期】2002-01-10
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】29.045半导体材料
ASTM F1619-95(2000)
以布鲁斯特角入射的p偏振辐射通过红外吸收光谱法测量硅片间隙氧含量的标准试验方法
- 【发布单位或类别】 US-ASTM美国材料与试验协会
- 【发布日期】1995-09-15
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】半导体材料
ASTM F1619-95(2000)e1
用在布儒斯特角入射的p偏振辐射的红外吸收光谱法测量硅片间隙氧含量的标准试验方法（2003年撤销）
- 【发布单位或类别】 US-ASTM美国材料与试验协会
- 【发布日期】1995-09-15
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】29.045半导体材料
ASTM F1189-88
用计算机辅助红外分光光度法测量双面抛光硅片间隙氧含量的试验方法（1993年撤销）
- 【发布单位或类别】 US-ASTM美国材料与试验协会
- 【发布日期】
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】29.045
