硅片氧沉淀特性的测定-间隙氧含量减少法
原创来源:北检院 发布时间:2024-12-30 19:20:44 点击数:
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硅片氧沉淀特性的测定 间隙氧含量减少法
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【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
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【发布日期】2004-02-05
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【CCS分类】H26金属无损检验方法
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【ICS分类】29.040绝缘流体
硅片氧沉淀特性的测试 间隙氧含量减少法
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【发布单位或类别】 CN-PLAN国家标准计划
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【发布日期】2023-12-01
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【CCS分类】电子技术专用材料
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【ICS分类】77.040金属材料试验
通过测量间隙氧含量的减少表征硅片氧沉淀特性的方法
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【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
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【发布日期】1995-04-22
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【CCS分类】L90
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【ICS分类】77.040金属材料试验
用间隙氧还原测定硅片氧沉淀特性的标准试验方法
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【发布单位或类别】 US-ASTM美国材料与试验协会
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【发布日期】2002-01-10
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【CCS分类】
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【ICS分类】29.045半导体材料
以布鲁斯特角入射的p偏振辐射通过红外吸收光谱法测量硅片间隙氧含量的标准试验方法
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【发布单位或类别】 US-ASTM美国材料与试验协会
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【发布日期】1995-09-15
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【CCS分类】
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【ICS分类】半导体材料
用在布儒斯特角入射的p偏振辐射的红外吸收光谱法测量硅片间隙氧含量的标准试验方法(2003年撤销)
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【发布单位或类别】 US-ASTM美国材料与试验协会
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【发布日期】1995-09-15
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【CCS分类】
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【ICS分类】29.045半导体材料
用计算机辅助红外分光光度法测量双面抛光硅片间隙氧含量的试验方法(1993年撤销)
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【发布单位或类别】 US-ASTM美国材料与试验协会
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【发布日期】
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【CCS分类】
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【ICS分类】29.045
检测流程
1、确认客户委托,寄样。
2、到样之后,确定具体的试验项目以及试验方案。
3、实验室报价。
4、签订保密协议,进行试验。
5、完成试验,确定检测报告
6、后期技术服务
友情提示:暂不接受个人委托测试
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