砷化镓单晶
原创来源:北检院 发布时间:2025-01-02 07:05:52 点击数:
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砷化镓单晶
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【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
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【发布日期】2021-05-21
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【CCS分类】H83化合物半导体材料
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【ICS分类】29.045半导体材料
水平法砷化镓单晶及切割片
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【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
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【发布日期】2020-09-29
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【CCS分类】H83化合物半导体材料
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【ICS分类】29.045半导体材料
砷化镓单晶位错密度的测试方法
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【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
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【发布日期】2020-09-29
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【CCS分类】H21金属物理性能试验方法
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【ICS分类】77.040金属材料试验
太阳能电池用砷化镓单晶
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【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
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【发布日期】2010-09-02
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【CCS分类】H80半金属与半导体材料综合
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【ICS分类】29.045半导体材料
太阳能电池用砷化镓单晶抛光片
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【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
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【发布日期】2017-12-29
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【CCS分类】H83化合物半导体材料
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【ICS分类】29.045半导体材料
液封直拉法砷化镓单晶及切割片
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【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
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【发布日期】2007-09-11
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【CCS分类】H83化合物半导体材料
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【ICS分类】29.045半导体材料
砷化镓单晶AB微缺陷检验方法
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【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
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【发布日期】2000-04-03
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【CCS分类】H24金相检验方法
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【ICS分类】77.040.01金属材料试验综合
半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法
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【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
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【发布日期】2015-12-10
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【CCS分类】H17半金属及半导体材料分析方法
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【ICS分类】77.040金属材料试验
砷化镓单晶
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【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
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【发布日期】2006-04-21
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【CCS分类】H83化合物半导体材料
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【ICS分类】29.045半导体材料
半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度红外吸收测试方法
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【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
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【发布日期】2015-12-10
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【CCS分类】H17半金属及半导体材料分析方法
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【ICS分类】77.040金属材料试验
半绝缘砷化镓单晶微区均匀性测试方法
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【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
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【发布日期】2002-10-30
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【CCS分类】化合物半导体材料
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【ICS分类】半导体材料
砷化镓单晶AB微缺陷密度定量检验方法
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【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
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【发布日期】2002-10-30
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【CCS分类】半金属及半导体材料分析方法
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【ICS分类】金属材料试验综合
水平法砷化镓单晶及切割片
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【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
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【发布日期】2007-09-11
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【CCS分类】H83半金属
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【ICS分类】29.045粉末冶金
砷化镓单晶位错密度的测量方法
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【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
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【发布日期】2006-07-18
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【CCS分类】H17元素半导体材料
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【ICS分类】77.040.01半导体材料
水平法砷化镓单晶及切割片
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【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
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【发布日期】1989-03-31
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【CCS分类】H81金相检验方法
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【ICS分类】77.160半导体材料
半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法
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【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
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【发布日期】2003-06-16
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【CCS分类】H82半金属
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【ICS分类】29.045金属材料化学分析
太阳能电池用砷化镓单晶及抛光片
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【发布单位或类别】 CN-PLAN国家标准计划
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【发布日期】2024-06-28
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【CCS分类】电子技术专用材料
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【ICS分类】29.045半导体材料
砷化镓单晶位错密度的测量方法
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【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
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【发布日期】1988-02-25
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【CCS分类】H24
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【ICS分类】77.040.30
液封直拉法砷化镓单晶及切割片
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【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
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【发布日期】1989-03-31
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【CCS分类】H81
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【ICS分类】29.045
砷化镓单晶棒及片
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【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
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【发布日期】1989-03-20
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【CCS分类】L90
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【ICS分类】
检测流程
1、确认客户委托,寄样。
2、到样之后,确定具体的试验项目以及试验方案。
3、实验室报价。
4、签订保密协议,进行试验。
5、完成试验,确定检测报告
6、后期技术服务
友情提示:暂不接受个人委托测试
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