磷化铟单晶
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高新技术企业
GB/T 20230-2022
磷化铟单晶
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2022-03-09
- 【CCS分类】H83化合物半导体材料
- 【ICS分类】29.045半导体材料
GB/T 20230-2006
磷化铟单晶
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2006-04-21
- 【CCS分类】H83化合物半导体材料
- 【ICS分类】29.045半导体材料
SJ 3243-1989
磷化铟单晶棒及片
- 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
- 【发布日期】1989-03-20
- 【CCS分类】L90电子技术专用材料
- 【ICS分类】半导体材料
SJ 3245-1989
磷化铟单晶位错的测量方法
- 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
- 【发布日期】1989-03-20
- 【CCS分类】L90电子技术专用材料
- 【ICS分类】半导体材料
SJ 3244.3-1989
砷化镓、磷化铟单晶晶向的测量方法
- 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
- 【发布日期】1989-03-20
- 【CCS分类】L90电子技术专用材料
- 【ICS分类】半导体材料
GB/T 36706-2018
磷化铟多晶
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2018-09-17
- 【CCS分类】H83化合物半导体材料
- 【ICS分类】29.045半导体材料
GB/T 20229-2022
磷化镓单晶
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2022-03-09
- 【CCS分类】H83化合物半导体材料
- 【ICS分类】29.045半导体材料
SJ 3249.1-1989
半绝缘砷化镓和磷化铟体单晶材料的电阻率测试方法
- 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
- 【发布日期】1989-03-20
- 【CCS分类】L90电子技术专用材料
- 【ICS分类】半导体材料
GB/T 11072-2009
锑化铟多晶、单晶及切割片
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2009-10-30
- 【CCS分类】H83化合物半导体材料
- 【ICS分类】29.045集成电路、微电子学
GB/T 20229-2006
磷化镓单晶
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2006-04-21
- 【CCS分类】H83化合物半导体材料
- 【ICS分类】29.045集成电路、微电子学
20240138-T-469
氮化铝单晶抛光片
- 【发布单位或类别】 CN-PLAN国家标准计划
- 【发布日期】2024-03-25
- 【CCS分类】化合物半导体材料
- 【ICS分类】29.045农用建筑物、结构和装置
SJ/T 11489-2015
低位错密度磷化铟抛光片蚀坑密度的测量方法
- 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
- 【发布日期】2015-04-30
- 【CCS分类】H83电子技术专用材料
- 【ICS分类】29.045集成电路、微电子学
GB/T 11297.7-1989
锑化铟单晶电阻率及霍耳系数的测试方法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】1989-03-31
- 【CCS分类】L32半金属
- 【ICS分类】31.200
GB/T 11297.6-1989
锑化铟单晶位错蚀坑的腐蚀显示及测量方法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】1989-03-31
- 【CCS分类】L32电子技术专用材料
- 【ICS分类】31.200
SJ 3244.5-1989
砷化镓和磷化铟材料补偿度的测试方法
- 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
- 【发布日期】1989-03-20
- 【CCS分类】L90金属化学性能试验方法
- 【ICS分类】
GB/T 11072-1989
锑化铟多晶、单晶及切割片
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】1989-03-31
- 【CCS分类】H81
- 【ICS分类】65.040
SJ 3248-1989
重掺砷化镓和磷化铟载流子浓度的红外反射测试方法
- 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
- 【发布日期】1989-03-20
- 【CCS分类】L90
- 【ICS分类】
SJ 20641-1997
红外探测器用锑化铟单晶规范
- 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
- 【发布日期】1997-06-17
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】
SJ 20640-1997
红外探测器用锑化铟单晶片规范
- 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
- 【发布日期】1997-06-17
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】
20065635-T-469
锑化铟单晶位错蚀坑的腐蚀显示及测量方法
- 【发布单位或类别】 CN-PLAN国家标准计划
- 【发布日期】2006-07-05
- 【CCS分类】H25
- 【ICS分类】31.200
