半导体器件-功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据-第1部分：缺陷分类
原创来源：北检院 发布时间：2025-01-02 11:22:46 点击数：
全国服务领域：河北、山西、黑龙江、吉林、辽宁、江苏、浙江、安徽、福建、江西、山东、河南、湖北、湖南、广东、海南、四川、贵州、云南、陕西、甘肃、青海、台湾、内蒙古、广西、西藏、宁夏、新疆、北京、天津、上海、重庆、香港、澳门
GB/T 43493.1-2023
半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分：缺陷分类
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2023-12-28
- 【CCS分类】L90电子技术专用材料
- 【ICS分类】31.080.99其他半导体分立器件
GB/T 43493.2-2023
半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分：缺陷的光学检测方法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2023-12-28
- 【CCS分类】L90电子技术专用材料
- 【ICS分类】31.080.99其他半导体分立器件
GB/T 43493.3-2023
半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第3部分：缺陷的光致发光检测方法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2023-12-28
- 【CCS分类】L90电子技术专用材料
- 【ICS分类】31.080.99其他半导体分立器件
IEC 63068-1:2019
半导体器件.功率器件用碳化硅同质外延片中缺陷的无损识别标准.第1部分:缺陷分类
- 【发布单位或类别】 IX-IEC国际电工委员会
- 【发布日期】2019-01-30
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】31.080.99其他半导体分立器件
IEC 63068-2:2019
半导体器件.功率器件用碳化硅同质外延片中缺陷的无损识别标准.第2部分:光学检验缺陷的试验方法
- 【发布单位或类别】 IX-IEC国际电工委员会
- 【发布日期】2019-01-30
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】31.080.99其他半导体分立器件
IEC 63068-3:2020
半导体器件.功率器件用碳化硅同质外延片中缺陷的无损识别标准.第3部分:用光致发光法检测缺陷的试验方法
- 【发布单位或类别】 IX-IEC国际电工委员会
- 【发布日期】2020-07-13
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】31.080.99其他半导体分立器件
IEC 63068-4:2022
半导体器件.功率器件用碳化硅同质外延片中缺陷的无损识别标准.第4部分:使用光学检查和光致发光组合方法识别和评估缺陷的程序
- 【发布单位或类别】 IX-IEC国际电工委员会
- 【发布日期】2022-07-27
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】31.080.99其他半导体分立器件
BS IEC 63068-3:2020
半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损识别准则
- 【发布单位或类别】 GB-BSI英国标准学会
- 【发布日期】2020-07-24
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】
BS IEC 63068-1:2019
半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损识别准则
- 【发布单位或类别】 GB-BSI英国标准学会
- 【发布日期】2019-05-10
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】
BS IEC 63068-2:2019
半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损识别准则
- 【发布单位或类别】 GB-BSI英国标准学会
- 【发布日期】2019-02-08
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】
检测流程
1、确认客户委托，寄样。
2、到样之后，确定具体的试验项目以及试验方案。
3、实验室报价。
4、签订保密协议，进行试验。
5、完成试验，确定检测报告
6、后期技术服务
友情提示：暂不接受个人委托测试
以上是关于"半导体器件-功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据-第1部分：缺陷分类"的介绍，如有其他问题可以咨询工程师为您服务！
实验室仪器
荣誉资质
服务项目
SERVICE PROJECT
