埋层硅外延片
原创来源:北检院 发布时间:2025-01-03 22:41:35 点击数:
全国服务领域:河北、山西、黑龙江、吉林、辽宁、江苏、浙江、安徽、福建、江西、山东、河南、湖北、湖南、广东、海南、四川、贵州、云南、陕西、甘肃、青海、台湾、内蒙古、广西、西藏、宁夏、新疆、北京、天津、上海、重庆、香港、澳门
埋层硅外延片
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【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
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【发布日期】2024-08-23
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【CCS分类】H82元素半导体材料
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【ICS分类】29.045半导体材料
硅外延片
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【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
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【发布日期】2019-06-04
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【CCS分类】H82元素半导体材料
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【ICS分类】29.045半导体材料
200mm硅外延片
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【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
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【发布日期】2017-12-29
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【CCS分类】H82元素半导体材料
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【ICS分类】29.045半导体材料
硅-蓝宝石外延片
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【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
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【发布日期】1992-12-28
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【CCS分类】L90电子技术专用材料
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【ICS分类】29.045半导体材料
硅外延片
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【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
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【发布日期】2009-10-30
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【CCS分类】H80半金属与半导体材料综合
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【ICS分类】29.045半导体材料
硅外延片
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【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
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【发布日期】1993-02-06
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【CCS分类】H81半金属
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【ICS分类】29.045半导体材料
300 mm硅外延片
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【发布单位或类别】 CN-PLAN国家标准计划
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【发布日期】2024-09-29
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【CCS分类】半金属与半导体材料综合
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【ICS分类】29.045半导体材料
硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法
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【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
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【发布日期】2009-10-30
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【CCS分类】H80金相检验方法
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【ICS分类】29.045半导体材料
硅抛光片和外延片表面质量光反射测试方法
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【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
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【发布日期】1997-12-22
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【CCS分类】H24元素半导体材料
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【ICS分类】29.045半导体材料
高压MOSFET用200 mm硅外延片
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【发布单位或类别】 CN-TUANTI团体标准
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【发布日期】2022-12-08
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【CCS分类】H82电子技术专用材料
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【ICS分类】29.045半导体材料
微波功率晶体管用硅外延片规范
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【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
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【发布日期】1995-05-25
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【CCS分类】L90电子技术专用材料
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【ICS分类】术语学(原则和协调配合)
硅外延片(暂行)
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【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
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【发布日期】1980-03-01
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【CCS分类】L90电子技术专用材料
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【ICS分类】半导体材料
硅外延片检测方法
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【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
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【发布日期】1980-03-01
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【CCS分类】L90电真空器件
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【ICS分类】
集成电路线宽65nm-14nm逻辑工艺用300mm P/P-型硅外延片
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【发布单位或类别】 CN-TUANTI团体标准
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【发布日期】2021-05-31
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【CCS分类】L35/39
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【ICS分类】01.020
用具有单一配置程序的直列四点探针对硅外延层、扩散层、多晶硅层和离子注入层的片电阻的标准试验方法
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【发布单位或类别】 US-ASTM美国材料与试验协会
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【发布日期】2000-12-10
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【CCS分类】
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【ICS分类】29.045
检测流程
1、确认客户委托,寄样。
2、到样之后,确定具体的试验项目以及试验方案。
3、实验室报价。
4、签订保密协议,进行试验。
5、完成试验,确定检测报告
6、后期技术服务
友情提示:暂不接受个人委托测试
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