微机电系统(MEMS)技术-MEMS膜残余应力的晶圆曲率和悬臂梁挠度试验方法
原创来源：北检院 发布时间：2025-01-04 05:44:39 点击数：
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GB/T 44517-2024
微机电系统（MEMS）技术 MEMS膜残余应力的晶圆曲率和悬臂梁挠度试验方法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2024-09-29
- 【CCS分类】L59微型组件
- 【ICS分类】31.080.99其他半导体分立器件
DIN EN 62047-16
半导体器件.微机电器件.第16部分:测定MEMS薄膜残余应力的试验方法.圆片弯曲和悬臂梁偏转法（IEC 62047-16-2015）；德文版EN 62047-16:2015
- 【发布单位或类别】 DE-DIN德国标准化学会
- 【发布日期】2015-12-01
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】
DIN EN 62047-16-DRAFT
文件草稿.半导体器件.微机电器件.第16部分:测定MEMS薄膜残余应力的试验方法.圆片弯曲和悬臂梁偏转法（IEC 47F/125/CD:2012）
- 【发布单位或类别】 DE-DIN德国标准化学会
- 【发布日期】2012-11-01
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】
检测流程
1、确认客户委托，寄样。
2、到样之后，确定具体的试验项目以及试验方案。
3、实验室报价。
4、签订保密协议，进行试验。
5、完成试验，确定检测报告
6、后期技术服务
友情提示：暂不接受个人委托测试
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