半导体器件-分立器件-第4-1部分:微波二极管和晶体管-微波场效应晶体管空白详细规范

2025-01-04 18:18:30 阅读 检测标准
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高新技术企业

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GB/T 21039.1-2007

半导体器件 分立器件 第4-1部分:微波二极管和晶体管 微波场效应晶体管空白详细规范

  • 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
  • 【发布日期】2007-06-29
  • 【CCS分类】L41半导体二极管
  • 【ICS分类】31.080.30三极管

KS C IEC 60747-4-1-2002(2017)

半导体器件分立器件第4-1部分:微波二极管和晶体管微波场效应晶体管空白详细规范

  • 【发布单位或类别】 KR-KS韩国标准
  • 【发布日期】2002-12-31
  • 【CCS分类】半导体三极管
  • 【ICS分类】31.080.30三极管

GB/T 6219-1998

半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 第一篇 1 GHz、5 W以下的单栅场效应晶体管 空白详细规范

  • 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
  • 【发布日期】1998-11-17
  • 【CCS分类】L42半导体三极管
  • 【ICS分类】31.080.30三极管

20231891-T-339

半导体分立器件 第4部分:微波二极管和晶体管

  • 【发布单位或类别】 CN-PLAN国家标准计划
  • 【发布日期】2023-12-28
  • 【CCS分类】场效应器件
  • 【ICS分类】31.080.10二极管

KS C IEC 60747-4-2022

半导体器件.分立器件.第4部分:微波二极管和晶体管

  • 【发布单位或类别】 KR-KS韩国标准
  • 【发布日期】2022-12-08
  • 【CCS分类】半导体三极管
  • 【ICS分类】三极管

KS C IEC 60747-4-2017

半导体器件分立器件第4部分:微波二极管和晶体管

  • 【发布单位或类别】 KR-KS韩国标准
  • 【发布日期】2017-05-30
  • 【CCS分类】半导体三极管
  • 【ICS分类】三极管

IEC 60747-4:2007+AMD1:2017 CSV

半导体器件分立器件第4部分:微波二极管和晶体管

  • 【发布单位或类别】 IX-IEC国际电工委员会
  • 【发布日期】2017-01-30
  • 【CCS分类】半导体三极管
  • 【ICS分类】31.080.30三极管

IEC 60747-4:2007

半导体器件 - 分立器件 - 第4部分:微波二极管和晶体管

  • 【发布单位或类别】 IX-IEC国际电工委员会
  • 【发布日期】2007-08-23
  • 【CCS分类】场效应器件
  • 【ICS分类】31.080.30三极管

KS C IEC 60747-4-2-2002(2022)

半导体器件分立器件第4-2部分:微波二极管和晶体管集成电路微波放大器空白详细规范

  • 【发布单位或类别】 KR-KS韩国标准
  • 【发布日期】2002-12-31
  • 【CCS分类】场效应器件
  • 【ICS分类】

IEC 60747-4:2007/AMD1:2017

修改件1.半导体器件.分立器件.第4部分:微波二极管和晶体管

  • 【发布单位或类别】 IX-IEC国际电工委员会
  • 【发布日期】2017-01-30
  • 【CCS分类】
  • 【ICS分类】31.080.30

KS C IEC 60747-4-2-2002(2017)

半导体器件分立器件第4-2部分:微波二极管和晶体管集成电路微波放大器空白详细规范

  • 【发布单位或类别】 KR-KS韩国标准
  • 【发布日期】2002-12-31
  • 【CCS分类】
  • 【ICS分类】

DIN IEC 60747-4-DRAFT

文件草案.半导体器件.分立器件.第4部分:微波二极管和晶体管(IEC 47E/265/CD:2004)

  • 【发布单位或类别】 DE-DIN德国标准化学会
  • 【发布日期】2005-01-01
  • 【CCS分类】
  • 【ICS分类】

IEC 63275-2:2022

半导体器件.碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管的可靠性试验方法.第2部分:由体二极管操作引起的双极退化的试验方法

  • 【发布单位或类别】 IX-IEC国际电工委员会
  • 【发布日期】2022-05-11
  • 【CCS分类】
  • 【ICS分类】31.080.30

SJ 50033/78-1995

半导体分立器件 CS0464型砷化镓微波场效应晶体管详细规范

  • 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
  • 【发布日期】1995-05-25
  • 【CCS分类】L42
  • 【ICS分类】

SJ 50033/42-1994

半导体分立器件 CS0467型砷化镓微波场效应晶体管详细规范

  • 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
  • 【发布日期】1994-09-30
  • 【CCS分类】L44
  • 【ICS分类】

SJ 50033/81-1995

半导体分立器件 CS0524型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范

  • 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
  • 【发布日期】1995-05-25
  • 【CCS分类】L42
  • 【ICS分类】

SJ 50033/80-1995

半导体分立器件 CS0513型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范

  • 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
  • 【发布日期】1995-05-25
  • 【CCS分类】L42
  • 【ICS分类】

SJ 50033/79-1995

半导体分立器件 CS0536型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范

  • 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
  • 【发布日期】1995-05-25
  • 【CCS分类】L42
  • 【ICS分类】

SJ 50033.54-1994

半导体分立器件CS0532型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范

  • 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
  • 【发布日期】1994-09-30
  • 【CCS分类】L44
  • 【ICS分类】

SJ 50033.52-1994

半导体分立器件CS0529型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范

  • 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
  • 【发布日期】1994-09-30
  • 【CCS分类】L44
  • 【ICS分类】