微机电系统（MEMS）技术-薄膜材料的弯曲试验方法
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高新技术企业
GB/T 44842-2024
微机电系统（MEMS）技术 薄膜材料的弯曲试验方法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2024-10-26
- 【CCS分类】L59微型组件
- 【ICS分类】31.080.99其他半导体分立器件
GB/T 44839-2024
微机电系统（MEMS）技术 MEMS材料微柱压缩试验方法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2024-10-26
- 【CCS分类】L59微型组件
- 【ICS分类】31.080.99其他半导体分立器件
GB/T 44513-2024
微机电系统（MEMS）技术 传感器用MEMS压电薄膜的环境试验方法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2024-09-29
- 【CCS分类】L59微型组件
- 【ICS分类】31.080.99其他半导体分立器件
GB/T 44514-2024
微机电系统（MEMS）技术 层状MEMS材料界面黏附能四点弯曲试验方法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2024-09-29
- 【CCS分类】L59微型组件
- 【ICS分类】31.080.99其他半导体分立器件
GB/T 44919-2024
微机电系统(MEMS)技术 薄膜力学性能的鼓胀试验方法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2024-11-28
- 【CCS分类】L59微型组件
- 【ICS分类】31.080.99其他半导体分立器件
GB/T 38446-2020
微机电系统（MEMS）技术 带状薄膜抗拉性能的试验方法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2020-03-06
- 【CCS分类】L55微电路综合
- 【ICS分类】31.200集成电路、微电子学
GB/T 42895-2023
微机电系统（MEMS）技术 硅基MEMS微结构弯曲强度试验方法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2023-08-06
- 【CCS分类】L59微型组件
- 【ICS分类】31.200集成电路、微电子学
GB/T 38341-2019
微机电系统(MEMS)技术 MEMS器件的可靠性综合环境试验方法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2019-12-31
- 【CCS分类】L55微电路综合
- 【ICS分类】31.200集成电路、微电子学
GB/T 44517-2024
微机电系统（MEMS）技术 MEMS膜残余应力的晶圆曲率和悬臂梁挠度试验方法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2024-09-29
- 【CCS分类】L59微型组件
- 【ICS分类】31.080.99其他半导体分立器件
IEC 62047-21:2014
半导体器件微机电器件第21部分:薄膜MEMS材料泊松比的试验方法
- 【发布单位或类别】 IX-IEC国际电工委员会
- 【发布日期】2014-06-19
- 【CCS分类】微型组件
- 【ICS分类】31.080.99其他半导体分立器件
GB/T 44515-2024
微机电系统（MEMS）技术 MEMS压电薄膜机电转换特性测量方法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2024-09-29
- 【CCS分类】L59微电路综合
- 【ICS分类】31.080.99其他半导体分立器件
DIN EN 62047-12
半导体器件.微机电器件.第12部分:使用MEMS结构共振的薄膜材料弯曲疲劳试验方法（IEC 62047-12-2011）；德文版EN 62047-12:2011
- 【发布单位或类别】 DE-DIN德国标准化学会
- 【发布日期】2012-06-01
- 【CCS分类】微型组件
- 【ICS分类】集成电路、微电子学
DIN EN 62047-21
半导体器件.微机电器件.第21部分:薄膜MEMS材料泊松比的试验方法（IEC 62047-21-2014）；德文版EN 62047-21:2014
- 【发布单位或类别】 DE-DIN德国标准化学会
- 【发布日期】2015-04-01
- 【CCS分类】微型组件
- 【ICS分类】其他半导体分立器件
GB/T 38447-2020
微机电系统（MEMS）技术 MEMS结构共振疲劳试验方法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2020-03-06
- 【CCS分类】L55微型组件
- 【ICS分类】31.200集成电路、微电子学
GB/T 44849-2024
微机电系统（MEMS）技术 金属膜材料成形极限测量方法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2024-10-26
- 【CCS分类】L59
- 【ICS分类】31.080.99集成电路、微电子学
GB/T 42896-2023
微机电系统（MEMS）技术 硅基MEMS纳尺度结构冲击试验方法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2023-08-06
- 【CCS分类】L59
- 【ICS分类】31.200其他半导体分立器件
GB/T 42897-2023
微机电系统（MEMS）技术 硅基MEMS纳米厚度膜抗拉强度试验方法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2023-08-06
- 【CCS分类】L59
- 【ICS分类】31.200
DIN EN 62047-21-DRAFT
文件草稿.半导体器件.微机电器件.第21部分:薄膜MEMS材料泊松比的试验方法（IEC 47F/127/CD:2012）
- 【发布单位或类别】 DE-DIN德国标准化学会
- 【发布日期】2012-11-01
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】
IEC 62047-31:2019
半导体器件微机电器件第31部分:层状MEMS材料界面结合能的四点弯曲试验方法
- 【发布单位或类别】 IX-IEC国际电工委员会
- 【发布日期】2019-04-05
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】31.080.99
DIN EN 62047-18
半导体器件.微机电器件.第18部分:薄膜材料的弯曲试验方法（IEC 62047-18-2013）；德文版EN 62047-18:2013
- 【发布单位或类别】 DE-DIN德国标准化学会
- 【发布日期】2014-04-01
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】
