半导体器件-分立器件-第8部分：场效应晶体管
原创来源：北检院 发布时间：2025-01-05 00:30:40 点击数：
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GB/T 4586-1994
半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】1994-12-30
- 【CCS分类】L42半导体三极管
- 【ICS分类】31.080半导体分立器件
GB/T 6219-1998
半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 第一篇 1 GHz、5 W以下的单栅场效应晶体管 空白详细规范
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】1998-11-17
- 【CCS分类】L42半导体三极管
- 【ICS分类】31.080.30三极管
SJ/T 9014.8.2-2018
半导体器件 分立器件第8-2部分：超结金属氧化物半导体场效应晶体管空白详细规范
- 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
- 【发布日期】2018-04-30
- 【CCS分类】L44场效应器件
- 【ICS分类】31.080.30三极管
20242947-T-339
半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管
- 【发布单位或类别】 CN-PLAN国家标准计划
- 【发布日期】2024-09-29
- 【CCS分类】半导体分立器件综合
- 【ICS分类】31.080.30三极管
20061346-T-339
半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管
- 【发布单位或类别】 CN-PLAN国家标准计划
- 【发布日期】2005-12-30
- 【CCS分类】L40半导体二极管
- 【ICS分类】31.080.30三极管
KS C IEC 60747-8-2020
半导体器件 - 分立器件 - 第8部分:场效应晶体管
- 【发布单位或类别】 KR-KS韩国标准
- 【发布日期】2020-12-31
- 【CCS分类】场效应器件
- 【ICS分类】31.080.30三极管
IEC 60747-8:2010+AMD1:2021 CSV
半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管
- 【发布单位或类别】 IX-IEC国际电工委员会
- 【发布日期】2021-06-25
- 【CCS分类】半导体三极管
- 【ICS分类】31.080.30三极管
IEC 60747-8:2010
半导体器件 - 分立器件 - 第8部分:场效应晶体管
- 【发布单位或类别】 IX-IEC国际电工委员会
- 【发布日期】2010-12-15
- 【CCS分类】场效应器件
- 【ICS分类】31.080.30三极管
IEC 60747-8:2010/AMD1:2021
修改件1.半导体器件.分立器件.第8部分:场效应晶体管
- 【发布单位或类别】 IX-IEC国际电工委员会
- 【发布日期】2021-06-25
- 【CCS分类】半导体三极管
- 【ICS分类】31.080.30三极管
GB/T 21039.1-2007
半导体器件 分立器件 第4-1部分：微波二极管和晶体管 微波场效应晶体管空白详细规范
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2007-06-29
- 【CCS分类】L41半导体三极管
- 【ICS分类】31.080.30三极管
DIN IEC 60747-8-DRAFT
文件草案.半导体器件.分立器件.第8部分:场效应晶体管（IEC 47E/320/CD:2007）
- 【发布单位或类别】 DE-DIN德国标准化学会
- 【发布日期】2007-06-01
- 【CCS分类】半导体三极管
- 【ICS分类】
SJ 20184-1992
半导体分立器件 ＣＳ３８２１、３８２２、３８２３型场效应晶体管详细规范
- 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
- 【发布日期】1992-11-19
- 【CCS分类】L44场效应器件
- 【ICS分类】
SJ 50033/78-1995
半导体分立器件 ＣＳ０４６４型砷化镓微波场效应晶体管详细规范
- 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
- 【发布日期】1995-05-25
- 【CCS分类】L42场效应器件
- 【ICS分类】
SJ 50033/42-1994
半导体分立器件 ＣＳ０４６７型砷化镓微波场效应晶体管详细规范
- 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
- 【发布日期】1994-09-30
- 【CCS分类】L44半导体三极管
- 【ICS分类】
SJ 50033/81-1995
半导体分立器件 ＣＳ０５２４型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范
- 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
- 【发布日期】1995-05-25
- 【CCS分类】L42
- 【ICS分类】
SJ 50033/80-1995
半导体分立器件 ＣＳ０５１３型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范
- 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
- 【发布日期】1995-05-25
- 【CCS分类】L42
- 【ICS分类】
SJ 50033/79-1995
半导体分立器件 ＣＳ０５３６型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范
- 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
- 【发布日期】1995-05-25
- 【CCS分类】L42
- 【ICS分类】
SJ 50033.54-1994
半导体分立器件CS0532型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范
- 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
- 【发布日期】1994-09-30
- 【CCS分类】L44
- 【ICS分类】
SJ 50033.52-1994
半导体分立器件CS0529型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范
- 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
- 【发布日期】1994-09-30
- 【CCS分类】L44
- 【ICS分类】
SJ 50033/85-1995
半导体分立器件 ＣＳ１４１型硅Ｎ沟道ＭＯＳ耗尽型场效应晶体管详细规范
- 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
- 【发布日期】1995-05-25
- 【CCS分类】L42
- 【ICS分类】
检测流程
1、确认客户委托，寄样。
2、到样之后，确定具体的试验项目以及试验方案。
3、实验室报价。
4、签订保密协议，进行试验。
5、完成试验，确定检测报告
6、后期技术服务
友情提示：暂不接受个人委托测试
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