半导体器件-分立器件-第8部分:场效应晶体管

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高新技术企业

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GB/T 4586-1994

半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管

  • 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
  • 【发布日期】1994-12-30
  • 【CCS分类】L42半导体三极管
  • 【ICS分类】31.080半导体分立器件

GB/T 6219-1998

半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 第一篇 1 GHz、5 W以下的单栅场效应晶体管 空白详细规范

  • 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
  • 【发布日期】1998-11-17
  • 【CCS分类】L42半导体三极管
  • 【ICS分类】31.080.30三极管

SJ/T 9014.8.2-2018

半导体器件 分立器件第8-2部分:超结金属氧化物半导体场效应晶体管空白详细规范

  • 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
  • 【发布日期】2018-04-30
  • 【CCS分类】L44场效应器件
  • 【ICS分类】31.080.30三极管

20242947-T-339

半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管

  • 【发布单位或类别】 CN-PLAN国家标准计划
  • 【发布日期】2024-09-29
  • 【CCS分类】半导体分立器件综合
  • 【ICS分类】31.080.30三极管

20061346-T-339

半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管

  • 【发布单位或类别】 CN-PLAN国家标准计划
  • 【发布日期】2005-12-30
  • 【CCS分类】L40半导体二极管
  • 【ICS分类】31.080.30三极管

KS C IEC 60747-8-2020

半导体器件 - 分立器件 - 第8部分:场效应晶体管

  • 【发布单位或类别】 KR-KS韩国标准
  • 【发布日期】2020-12-31
  • 【CCS分类】场效应器件
  • 【ICS分类】31.080.30三极管

IEC 60747-8:2010+AMD1:2021 CSV

半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管

  • 【发布单位或类别】 IX-IEC国际电工委员会
  • 【发布日期】2021-06-25
  • 【CCS分类】半导体三极管
  • 【ICS分类】31.080.30三极管

IEC 60747-8:2010

半导体器件 - 分立器件 - 第8部分:场效应晶体管

  • 【发布单位或类别】 IX-IEC国际电工委员会
  • 【发布日期】2010-12-15
  • 【CCS分类】场效应器件
  • 【ICS分类】31.080.30三极管

IEC 60747-8:2010/AMD1:2021

修改件1.半导体器件.分立器件.第8部分:场效应晶体管

  • 【发布单位或类别】 IX-IEC国际电工委员会
  • 【发布日期】2021-06-25
  • 【CCS分类】半导体三极管
  • 【ICS分类】31.080.30三极管

GB/T 21039.1-2007

半导体器件 分立器件 第4-1部分:微波二极管和晶体管 微波场效应晶体管空白详细规范

  • 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
  • 【发布日期】2007-06-29
  • 【CCS分类】L41半导体三极管
  • 【ICS分类】31.080.30三极管

DIN IEC 60747-8-DRAFT

文件草案.半导体器件.分立器件.第8部分:场效应晶体管(IEC 47E/320/CD:2007)

  • 【发布单位或类别】 DE-DIN德国标准化学会
  • 【发布日期】2007-06-01
  • 【CCS分类】半导体三极管
  • 【ICS分类】

SJ 20184-1992

半导体分立器件 CS3821、3822、3823型场效应晶体管详细规范

  • 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
  • 【发布日期】1992-11-19
  • 【CCS分类】L44场效应器件
  • 【ICS分类】

SJ 50033/78-1995

半导体分立器件 CS0464型砷化镓微波场效应晶体管详细规范

  • 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
  • 【发布日期】1995-05-25
  • 【CCS分类】L42场效应器件
  • 【ICS分类】

SJ 50033/42-1994

半导体分立器件 CS0467型砷化镓微波场效应晶体管详细规范

  • 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
  • 【发布日期】1994-09-30
  • 【CCS分类】L44半导体三极管
  • 【ICS分类】

SJ 50033/81-1995

半导体分立器件 CS0524型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范

  • 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
  • 【发布日期】1995-05-25
  • 【CCS分类】L42
  • 【ICS分类】

SJ 50033/80-1995

半导体分立器件 CS0513型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范

  • 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
  • 【发布日期】1995-05-25
  • 【CCS分类】L42
  • 【ICS分类】

SJ 50033/79-1995

半导体分立器件 CS0536型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范

  • 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
  • 【发布日期】1995-05-25
  • 【CCS分类】L42
  • 【ICS分类】

SJ 50033.54-1994

半导体分立器件CS0532型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范

  • 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
  • 【发布日期】1994-09-30
  • 【CCS分类】L44
  • 【ICS分类】

SJ 50033.52-1994

半导体分立器件CS0529型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范

  • 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
  • 【发布日期】1994-09-30
  • 【CCS分类】L44
  • 【ICS分类】

SJ 50033/85-1995

半导体分立器件 CS141型硅N沟道MOS耗尽型场效应晶体管详细规范

  • 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
  • 【发布日期】1995-05-25
  • 【CCS分类】L42
  • 【ICS分类】