半导体器件-分立器件-第7部分:双极型晶体管

原创来源:北检院    发布时间:2025-01-05 00:35:29    点击数:

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GB/T 4587-2023

半导体器件 分立器件 第7部分:双极型晶体管

  • 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
  • 【发布日期】2023-09-07
  • 【CCS分类】L40半导体分立器件综合
  • 【ICS分类】31.080.30三极管

GB/T 7576-1998

半导体器件 分立器件 第7部分:双极型晶体管 第四篇 高频放大管壳额定双极型晶体管空白详细规范

  • 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
  • 【发布日期】1998-11-17
  • 【CCS分类】L42半导体三极管
  • 【ICS分类】31.080.30三极管

GB/T 6217-1998

半导体器件 分立器件 第7部分:双极型晶体管 第一篇 高低频放大环境额定的双极型晶体管空白详细规范

  • 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
  • 【发布日期】1998-11-17
  • 【CCS分类】L42半导体三极管
  • 【ICS分类】31.080.30三极管

GB/T 4587-1994

半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管

  • 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
  • 【发布日期】1994-12-30
  • 【CCS分类】L42半导体三极管
  • 【ICS分类】31.080半导体分立器件

GB/T 29332-2012

半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT)

  • 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
  • 【发布日期】2012-12-31
  • 【CCS分类】L42半导体三极管
  • 【ICS分类】31.080.30三极管

GB/T 21039.1-2007

半导体器件 分立器件 第4-1部分:微波二极管和晶体管 微波场效应晶体管空白详细规范

  • 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
  • 【发布日期】2007-06-29
  • 【CCS分类】L41半导体二极管
  • 【ICS分类】31.080.30三极管

GB/T 4586-1994

半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管

  • 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
  • 【发布日期】1994-12-30
  • 【CCS分类】L42半导体三极管
  • 【ICS分类】31.080半导体分立器件

GB/T 15651.7-2024

半导体器件 第5-7部分:光电子器件 光电二极管和光电晶体管

  • 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
  • 【发布日期】2024-03-15
  • 【CCS分类】L53半导体发光器件
  • 【ICS分类】31.260光电子学、激光设备

GB/T 6590-1998

半导体器件 分立器件 第6部分:闸流晶体管 第二篇 100A以下环境或管壳额定的双向三极闸流晶体管空白详细规范

  • 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
  • 【发布日期】1998-11-17
  • 【CCS分类】L43半导体整流器件
  • 【ICS分类】31.080.20晶体闸流管

GB/T 6352-1998

半导体器件 分立器件 第6部分:闸流晶体管 第一篇 100A以下环境或管壳额定反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范

  • 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
  • 【发布日期】1998-11-17
  • 【CCS分类】L43半导体整流器件
  • 【ICS分类】31.080.20晶体闸流管

20064065-T-339

半导体器件 第7部分:双极型晶体管

  • 【发布单位或类别】 CN-PLAN国家标准计划
  • 【发布日期】2005-12-30
  • 【CCS分类】L40半导体分立器件综合
  • 【ICS分类】31.080.30三极管

SJ/T 9014.8.2-2018

半导体器件 分立器件第8-2部分:超结金属氧化物半导体场效应晶体管空白详细规范

  • 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
  • 【发布日期】2018-04-30
  • 【CCS分类】L44场效应器件
  • 【ICS分类】31.080.30三极管

GB/T 6219-1998

半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 第一篇 1 GHz、5 W以下的单栅场效应晶体管 空白详细规范

  • 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
  • 【发布日期】1998-11-17
  • 【CCS分类】L42半导体三极管
  • 【ICS分类】31.080.30三极管

20231891-T-339

半导体分立器件 第4部分:微波二极管和晶体管

  • 【发布单位或类别】 CN-PLAN国家标准计划
  • 【发布日期】2023-12-28
  • 【CCS分类】半导体分立器件综合
  • 【ICS分类】31.080.10二极管

20242947-T-339

半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管

  • 【发布单位或类别】 CN-PLAN国家标准计划
  • 【发布日期】2024-09-29
  • 【CCS分类】
  • 【ICS分类】31.080.30三极管

KS C IEC 60747-7-2022

半导体器件.分立器件.第7部分:双极晶体管

  • 【发布单位或类别】 KR-KS韩国标准
  • 【发布日期】2022-12-08
  • 【CCS分类】
  • 【ICS分类】31.080.30三极管

IEC 60747-7:2010+AMD1:2019 CSV

半导体器件分立器件第7部分:双极晶体管

  • 【发布单位或类别】 IX-IEC国际电工委员会
  • 【发布日期】2019-09-23
  • 【CCS分类】
  • 【ICS分类】31.080.30三极管

KS C IEC 60747-7-2017

半导体器件分立器件第7部分:双极晶体管

  • 【发布单位或类别】 KR-KS韩国标准
  • 【发布日期】2017-05-30
  • 【CCS分类】
  • 【ICS分类】31.080.30三极管

20061346-T-339

半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管

  • 【发布单位或类别】 CN-PLAN国家标准计划
  • 【发布日期】2005-12-30
  • 【CCS分类】L40
  • 【ICS分类】31.080.30三极管

KS C IEC 60747-4-2022

半导体器件.分立器件.第4部分:微波二极管和晶体管

  • 【发布单位或类别】 KR-KS韩国标准
  • 【发布日期】2022-12-08
  • 【CCS分类】
  • 【ICS分类】

检测流程

1、确认客户委托,寄样。

2、到样之后,确定具体的试验项目以及试验方案。

3、实验室报价。

4、签订保密协议,进行试验。

5、完成试验,确定检测报告

6、后期技术服务

友情提示:暂不接受个人委托测试

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