锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法
原创来源：北检院 发布时间：2025-01-08 20:35:35 点击数：
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GB/T 34481-2017
低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度（EPD）的测量方法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2017-10-14
- 【CCS分类】H25金属化学性能试验方法
- 【ICS分类】77.040金属材料试验
GB/T 5252-2006
锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2006-07-18
- 【CCS分类】H17半金属及半导体材料分析方法
- 【ICS分类】77.040.01金属材料试验综合
GB/T 5252-1985
锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】1985-07-22
- 【CCS分类】H21金属物理性能试验方法
- 【ICS分类】77.040金属材料试验
GB/T 33763-2017
蓝宝石单晶位错密度测量方法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2017-05-31
- 【CCS分类】H25金属化学性能试验方法
- 【ICS分类】77.040金属材料试验
GB/T 11297.6-1989
锑化铟单晶位错蚀坑的腐蚀显示及测量方法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】1989-03-31
- 【CCS分类】L32半金属及半导体材料分析方法
- 【ICS分类】31.200集成电路、微电子学
GB/T 8760-2006
砷化镓单晶位错密度的测量方法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2006-07-18
- 【CCS分类】H17金属化学性能试验方法
- 【ICS分类】77.040.01金属材料试验综合
20065635-T-469
锑化铟单晶位错蚀坑的腐蚀显示及测量方法
- 【发布单位或类别】 CN-PLAN国家标准计划
- 【发布日期】2006-07-05
- 【CCS分类】H25金相检验方法
- 【ICS分类】31.200集成电路、微电子学
GB/T 8760-1988
砷化镓单晶位错密度的测量方法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】1988-02-25
- 【CCS分类】H24金属物理性能试验方法
- 【ICS分类】77.040.30金属材料化学分析
GB/T 5252-2020
锗单晶位错密度的测试方法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2020-06-02
- 【CCS分类】H21化合物半导体材料
- 【ICS分类】77.040金属材料试验
SJ/T 11489-2015
低位错密度磷化铟抛光片蚀坑密度的测量方法
- 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
- 【发布日期】2015-04-30
- 【CCS分类】H83化合物半导体材料
- 【ICS分类】29.045半导体材料
SJ/T 11490-2015
低位错密度砷化镓抛光片蚀坑密度的测量方法
- 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
- 【发布日期】2015-04-30
- 【CCS分类】H83金属理化性能试验方法
- 【ICS分类】29.045半导体材料
SJ/T 10557.3-1994
电解电容器用铝箔平均位错密度测量方法
- 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
- 【发布日期】1994-08-08
- 【CCS分类】H20/29电子技术专用材料
- 【ICS分类】77.040金属材料试验
SJ 3245-1989
磷化铟单晶位错的测量方法
- 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
- 【发布日期】1989-03-20
- 【CCS分类】L90
- 【ICS分类】
检测流程
1、确认客户委托，寄样。
2、到样之后，确定具体的试验项目以及试验方案。
3、实验室报价。
4、签订保密协议，进行试验。
5、完成试验，确定检测报告
6、后期技术服务
友情提示：暂不接受个人委托测试
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