半导体器件-分立器件-第3部分：信号(包括开关)和调整二极管
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高新技术企业
GB/T 6571-1995
半导体器件 分立器件 第3部分:信号（包括开关）和调整二极管
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】1995-07-24
- 【CCS分类】L42半导体三极管
- 【ICS分类】31.080.10二极管
GB/T 6588-2000
半导体器件 分立器件 第3部分:信号（包括开关）和调整二极管 第1篇 信号二极管、开关二极管和可控雪崩二极管空白详细规范
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2000-10-17
- 【CCS分类】L41半导体二极管
- 【ICS分类】31.080.10二极管
GB/T 6589-2002
半导体器件 分立器件 第3-2部分:信号（包括开关）和调整二极管 电压调整二极管和电压基准二极管（不包括温度补偿精密基准二极管） 空白详细规范
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2002-12-04
- 【CCS分类】L41半导体二极管
- 【ICS分类】31.080.10二极管
KS C IEC 60747-3-2016
半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管
- 【发布单位或类别】 KR-KS韩国标准
- 【发布日期】2016-12-29
- 【CCS分类】电力半导体器件、部件
- 【ICS分类】31.080.10二极管
GB/T 4023-2015
半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2015-12-31
- 【CCS分类】K46半导体整流器件
- 【ICS分类】31.080.10二极管
20233066-T-339
半导体分立器件 第3部分：信号、开关和调整二极管
- 【发布单位或类别】 CN-PLAN国家标准计划
- 【发布日期】2023-12-28
- 【CCS分类】半导体二极管
- 【ICS分类】31.080.10二极管
GB/T 6351-1998
半导体器件 分立器件 第2部分:整流二极管 第一篇 100A以下环境或管壳额定整流二极管（包括雪崩整流二极管）空白详细规范
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】1998-11-17
- 【CCS分类】L43半导体二极管
- 【ICS分类】31.080.10二极管
GB/T 21039.1-2007
半导体器件 分立器件 第4-1部分：微波二极管和晶体管 微波场效应晶体管空白详细规范
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2007-06-29
- 【CCS分类】L41
- 【ICS分类】31.080.30三极管
KS C IEC 60747-3-2016(2021)
半导体器件分立器件第3部分:信号（包括开关）和调节二极管
- 【发布单位或类别】 KR-KS韩国标准
- 【发布日期】2016-12-29
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】31.080.10二极管
GB/T 4023-1997
半导体器件分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】1997-10-07
- 【CCS分类】L41
- 【ICS分类】31.080.10二极管
20231891-T-339
半导体分立器件 第4部分：微波二极管和晶体管
- 【发布单位或类别】 CN-PLAN国家标准计划
- 【发布日期】2023-12-28
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】31.080.10二极管
KS C IEC 60747-3-1-2006(2016)
半导体器件分立器件第3部分:信号（包括开关）和稳压二极管第一节:信号二极管、开关二极管和受控雪崩二极管空白详细规范
- 【发布单位或类别】 KR-KS韩国标准
- 【发布日期】2006-12-11
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】31.080.10二极管
IEC 60747-3:2013
半导体器件第3部分:分立器件:开关稳压二极管
- 【发布单位或类别】 IX-IEC国际电工委员会
- 【发布日期】2013-07-09
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】31.080.10二极管
KS C IEC 60747-3-2-2006(2016)
半导体器件分立器件第3部分:信号（包括开关）和稳压二极管第2节:调压二极管和电压基准二极管空白详细规范 不包括温度补偿精密基准二极管
- 【发布单位或类别】 KR-KS韩国标准
- 【发布日期】2006-12-11
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】31.080.10二极管
KS C IEC 60747-4-2022
半导体器件.分立器件.第4部分:微波二极管和晶体管
- 【发布单位或类别】 KR-KS韩国标准
- 【发布日期】2022-12-08
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】三极管
KS C IEC 60747-4-2017
半导体器件分立器件第4部分:微波二极管和晶体管
- 【发布单位或类别】 KR-KS韩国标准
- 【发布日期】2017-05-30
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】三极管
IEC 60747-4:2007+AMD1:2017 CSV
半导体器件分立器件第4部分:微波二极管和晶体管
- 【发布单位或类别】 IX-IEC国际电工委员会
- 【发布日期】2017-01-30
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】31.080.30二极管
IEC 60747-4:2007
半导体器件 - 分立器件 - 第4部分:微波二极管和晶体管
- 【发布单位或类别】 IX-IEC国际电工委员会
- 【发布日期】2007-08-23
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】31.080.30
KS C IEC 60747-2-2006(2016)
半导体器件分立器件和集成电路第2部分:整流二极管
- 【发布单位或类别】 KR-KS韩国标准
- 【发布日期】2006-12-11
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】31.080.10
DIN EN 60747-3-DRAFT
文件草案.半导体器件.第3部分:信号（包括开关二极管）和调节二极管（IEC 47E/395/CD:2010）
- 【发布单位或类别】 DE-DIN德国标准化学会
- 【发布日期】2010-11-01
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】
