半导体器件-分立器件-第6部分：闸流晶体管-第二篇-100A以下环境或管壳额定的双向三极闸流晶体管空白详细规范
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高新技术企业
GB/T 6590-1998
半导体器件 分立器件 第6部分:闸流晶体管 第二篇 100A以下环境或管壳额定的双向三极闸流晶体管空白详细规范
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】1998-11-17
- 【CCS分类】L43半导体整流器件
- 【ICS分类】31.080.20晶体闸流管
GB/T 6352-1998
半导体器件 分立器件 第6部分:闸流晶体管 第一篇 100A以下环境或管壳额定反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】1998-11-17
- 【CCS分类】L43半导体整流器件
- 【ICS分类】31.080.20晶体闸流管
SJ 20180-1992
半导体分立器件 ３ＣＴ１０５型反向阻断闸流晶体管详细规范
- 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
- 【发布日期】1992-11-19
- 【CCS分类】L43半导体整流器件
- 【ICS分类】三极管
SJ 20181-1992
半导体分立器件 ３ＣＴ１０７型反向阻断闸流晶体管详细规范
- 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
- 【发布日期】1992-11-19
- 【CCS分类】L43半导体整流器件
- 【ICS分类】三极管
SJ 20179-1992
半导体分立器件 ３ＣＴ１０３型反向阻断闸流晶体管详细规范
- 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
- 【发布日期】1992-11-19
- 【CCS分类】L43半导体整流器件
- 【ICS分类】三极管
GB/T 21039.1-2007
半导体器件 分立器件 第4-1部分：微波二极管和晶体管 微波场效应晶体管空白详细规范
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2007-06-29
- 【CCS分类】L41半导体二极管
- 【ICS分类】31.080.30三极管
SJ 20182-1992
半导体分立器件 ３ＣＴ６８２、６８３、６８５～６９２和３ＣＴ５２０６型反向阻断闸流晶体管详细规范
- 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
- 【发布日期】1992-11-19
- 【CCS分类】L43半导体整流器件
- 【ICS分类】三极管
GB/T 7576-1998
半导体器件 分立器件 第7部分:双极型晶体管 第四篇 高频放大管壳额定双极型晶体管空白详细规范
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】1998-11-17
- 【CCS分类】L42半导体三极管
- 【ICS分类】31.080.30三极管
GB/T 6217-1998
半导体器件 分立器件 第7部分:双极型晶体管 第一篇 高低频放大环境额定的双极型晶体管空白详细规范
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】1998-11-17
- 【CCS分类】L42半导体三极管
- 【ICS分类】31.080.30三极管
GB/T 6219-1998
半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 第一篇 1 GHz、5 W以下的单栅场效应晶体管 空白详细规范
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】1998-11-17
- 【CCS分类】L42半导体三极管
- 【ICS分类】31.080.30三极管
SJ/Z 9014.3-1987
半导体器件 分立器件和集成电路 第６部分：闸流晶体管
- 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
- 【发布日期】1987-09-14
- 【CCS分类】L43半导体整流器件
- 【ICS分类】三极管
20233716-T-339
半导体分立器件 小功率双极型晶体管空白详细规范
- 【发布单位或类别】 CN-PLAN国家标准计划
- 【发布日期】2023-12-28
- 【CCS分类】场效应器件
- 【ICS分类】31.080.30三极管
SJ/T 9014.8.2-2018
半导体器件 分立器件第8-2部分：超结金属氧化物半导体场效应晶体管空白详细规范
- 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
- 【发布日期】2018-04-30
- 【CCS分类】L44
- 【ICS分类】31.080.30三极管
20233689-T-339
半导体分立器件 大功率双极型晶体管空白详细规范
- 【发布单位或类别】 CN-PLAN国家标准计划
- 【发布日期】2023-12-28
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】31.080.30
KS C IEC 60747-7-3-2006(2016)
半导体器件分立器件第7部分:双极晶体管第3节:开关用双极晶体管空白详细规范
- 【发布单位或类别】 KR-KS韩国标准
- 【发布日期】2006-12-11
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】31.080.30
KS C IEC 60747-7-2-2006(2016)
半导体器件分立器件第7部分:双极晶体管第2节:低频放大用外壳额定双极晶体管空白详细规范
- 【发布单位或类别】 KR-KS韩国标准
- 【发布日期】2006-12-11
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】31.080.30
KS C IEC 60747-7-4-2006(2016)
半导体器件分立器件第7部分:双极晶体管第4节:高频放大用外壳额定双极晶体管空白详细规范
- 【发布单位或类别】 KR-KS韩国标准
- 【发布日期】2006-12-11
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】31.080.30
KS C IEC 60747-7-1-2006(2016)
半导体器件分立器件第7部分:双极晶体管第一节:低频和高频放大用环境额定双极晶体管空白详细规范
- 【发布单位或类别】 KR-KS韩国标准
- 【发布日期】2006-12-11
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】31.080.30
KS C IEC 60747-4-2-2002(2022)
半导体器件分立器件第4－2部分:微波二极管和晶体管集成电路微波放大器空白详细规范
- 【发布单位或类别】 KR-KS韩国标准
- 【发布日期】2002-12-31
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】
KS C IEC 60747-4-2-2002(2017)
半导体器件分立器件第4－2部分:微波二极管和晶体管集成电路微波放大器空白详细规范
- 【发布单位或类别】 KR-KS韩国标准
- 【发布日期】2002-12-31
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】
