半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定-非接触涡流法
原创来源：北检院 发布时间：2025-01-12 12:33:52 点击数：
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GB/T 6616-1995
半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定 非接触涡流法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】1995-04-18
- 【CCS分类】H21金属物理性能试验方法
- 【ICS分类】29.045半导体材料
GB/T 6616-2023
半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的测试 非接触涡流法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2023-08-06
- 【CCS分类】H21金属物理性能试验方法
- 【ICS分类】77.040金属材料试验
GB/T 6616-2009
半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2009-10-30
- 【CCS分类】H80半金属与半导体材料综合
- 【ICS分类】29.045半导体材料
ASTM F673-02
测量半导体片的电阻率的标准测试方法或具有非接触式涡流量规的半导体薄膜的薄层电阻（2003年）
- 【发布单位或类别】 US-ASTM美国材料与试验协会
- 【发布日期】2002-12-10
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】29.045半导体材料
检测流程
1、确认客户委托，寄样。
2、到样之后，确定具体的试验项目以及试验方案。
3、实验室报价。
4、签订保密协议，进行试验。
5、完成试验，确定检测报告
6、后期技术服务
友情提示：暂不接受个人委托测试
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