半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法-非接触涡流法
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CNAS认可证书
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高新技术企业
GB/T 6616-2009
半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2009-10-30
- 【CCS分类】H80半金属与半导体材料综合
- 【ICS分类】29.045半导体材料
GB/T 6616-2023
半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的测试 非接触涡流法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2023-08-06
- 【CCS分类】H21金属物理性能试验方法
- 【ICS分类】77.040金属材料试验
GB/T 6616-1995
半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定 非接触涡流法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】1995-04-18
- 【CCS分类】H21金属物理性能试验方法
- 【ICS分类】29.045半导体材料
ASTM F673-02
测量半导体片的电阻率的标准测试方法或具有非接触式涡流量规的半导体薄膜的薄层电阻（2003年）
- 【发布单位或类别】 US-ASTM美国材料与试验协会
- 【发布日期】2002-12-10
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】29.045半导体材料
DIN 50445
半导体技术材料测试；用涡流法非接触测定半导体薄片的电阻率；均匀掺杂半导体晶片
- 【发布单位或类别】 DE-DIN德国标准化学会
- 【发布日期】1992-04-01
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】
