硅片电阻率测定-扩展电阻探针法
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高新技术企业
GB/T 6617-2009
硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2009-10-30
- 【CCS分类】H80半金属与半导体材料综合
- 【ICS分类】29.045半导体材料
GB/T 6617-1995
硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】1995-04-18
- 【CCS分类】H21金属物理性能试验方法
- 【ICS分类】77.120有色金属
GB/T 1551-2021
硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2021-05-21
- 【CCS分类】H21金属物理性能试验方法
- 【ICS分类】77.040金属材料试验
GB/T 1551-1995
硅、锗单晶电阻率测定 直流两探针法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】1995-04-18
- 【CCS分类】H21金属物理性能试验方法
- 【ICS分类】77.040.30金属材料化学分析
GB/T 1552-1995
硅、锗单晶电阻率测定 直排四探针法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】1995-04-18
- 【CCS分类】H21金属物理性能试验方法
- 【ICS分类】77.040.30金属材料化学分析
DB13/T 5026.3-2019
石墨烯导电浆料物理性质的测定方法 第3部分：浆料极片电阻率的测定 四探针法
- 【发布单位或类别】 CN-DB13河北省地方标准
- 【发布日期】2019-07-04
- 【CCS分类】G13氧化物、单质
- 【ICS分类】59.100.20碳纤维材料
ASTM F672-88(1995)e1
用扩展电阻探针测量垂直于硅片表面电阻率分布的标准试验方法
- 【发布单位或类别】 US-ASTM美国材料与试验协会
- 【发布日期】2001-06-10
- 【CCS分类】氧化物、单质
- 【ICS分类】29.045半导体材料
ASTM F672-01
使用扩展电阻测试仪测量与硅片表面垂直的电阻率曲线的标准测试方法（2003年退款）
- 【发布单位或类别】 US-ASTM美国材料与试验协会
- 【发布日期】2001-06-10
- 【CCS分类】金属物理性能试验方法
- 【ICS分类】29.045半导体材料
GB/T 39978-2021
纳米技术 碳纳米管粉体电阻率 四探针法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2021-05-21
- 【CCS分类】G13金属物理性能试验方法
- 【ICS分类】59.100.20碳纤维材料
YS/T 602-2017
区熔锗锭电阻率测试方法 两探针法
- 【发布单位或类别】 CN-YS行业标准-有色金属
- 【发布日期】2017-07-07
- 【CCS分类】H21半金属及半导体材料分析方法
- 【ICS分类】77.040金属材料试验
YS/T 602-2007
区熔锗锭电阻率测试方法 两探针法
- 【发布单位或类别】 CN-YS行业标准-有色金属
- 【发布日期】2007-11-14
- 【CCS分类】H21金属物理性能试验方法
- 【ICS分类】77.040金属材料试验
GB/T 11073-2007
硅片径向电阻率变化的测量方法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2007-09-11
- 【CCS分类】H17医疗器械
- 【ICS分类】77.040.01金属材料试验综合
JJG 508-2004
四探针电阻率测试仪
- 【发布单位或类别】 CN-JJG国家计量检定规程
- 【发布日期】2004-09-21
- 【CCS分类】建材
- 【ICS分类】金属材料试验
SJ/T 11627-2016
太阳能电池用硅片电阻率在线测试方法
- 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
- 【发布日期】2016-04-05
- 【CCS分类】H21半金属与半导体材料综合
- 【ICS分类】77.040电学、磁学、电和磁的测量
SJ/T 10314-1992
直流四探针电阻率测试通用技术条件
- 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
- 【发布日期】1992-06-15
- 【CCS分类】C30/49半金属及半导体材料分析方法
- 【ICS分类】17.220金属材料试验综合
20233945-T-610
硅片径向电阻率变化测量方法
- 【发布单位或类别】 CN-PLAN国家标准计划
- 【发布日期】2023-12-28
- 【CCS分类】金属理化性能试验方法
- 【ICS分类】77.040.01碳纤维材料
T/CSTM 00252-2020
碳纤维体积电阻率试验方法 四探针法
- 【发布单位或类别】 CN-TUANTI团体标准
- 【发布日期】2020-07-24
- 【CCS分类】Q
- 【ICS分类】59.100.20半导体材料
GB/T 6616-2009
半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2009-10-30
- 【CCS分类】H80
- 【ICS分类】29.045半导体材料
SJ/T 10481-1994
硅外延层电阻率的面接触三探针方法
- 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
- 【发布日期】1994-04-11
- 【CCS分类】H17
- 【ICS分类】29.045半导体器分立件综合
T/CASAS 019-2021
微纳米金属烧结体电阻率测试方法 四探针法
- 【发布单位或类别】 CN-TUANTI团体标准
- 【发布日期】2021-11-01
- 【CCS分类】H20/29
- 【ICS分类】31.080.01
