硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法
CMA资质认定
CNAS认可证书
ISO认证
高新技术企业
GB/T 24574-2009
硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2009-10-30
- 【CCS分类】H80半金属与半导体材料综合
- 【ICS分类】29.045半导体材料
SJ/T 11494-2015
硅单晶中III-V族杂质的光致发光测试方法
- 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
- 【发布日期】2015-04-30
- 【CCS分类】H82元素半导体材料
- 【ICS分类】29.045半导体材料
GB/T 24581-2009
低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中Ⅲ、Ⅴ族杂质含量的测试方法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2009-10-30
- 【CCS分类】H80半金属与半导体材料综合
- 【ICS分类】29.045半导体材料
ASTM F1389-00
单晶硅用于III-V杂质的光致发光分析的标准测试方法（2003年提出）
- 【发布单位或类别】 US-ASTM美国材料与试验协会
- 【发布日期】2000-06-10
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】29.045半导体材料
