硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法
原创来源:北检院 发布时间:2025-01-12 21:16:22 点击数:
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硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法
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【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
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【发布日期】2015-12-10
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【CCS分类】H17半金属及半导体材料分析方法
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【ICS分类】77.040金属材料试验
硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法
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【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
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【发布日期】2009-10-30
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【CCS分类】H80半金属与半导体材料综合
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【ICS分类】29.045半导体材料
半导体晶片表面金属沾污的测定 全反射X射线荧光光谱法
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【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
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【发布日期】2024-07-24
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【CCS分类】H21金属物理性能试验方法
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【ICS分类】77.040金属材料试验
表面化学分析 硅片工作标准样品表面元素的化学收集方法和全反射X射线荧光光谱法(TXRF)测定
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【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
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【发布日期】2014-03-27
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【CCS分类】G04基础标准与通用方法
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【ICS分类】71.040.40化学分析
BS ISO 17331:2004+A1:2010
表面化学分析 硅片工作标准物质表面元素收集的化学方法及其全反射X射线荧光光谱测定
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【发布单位或类别】 GB-BSI英国标准学会
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【发布日期】2010-09-30
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【CCS分类】基础标准与通用方法
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【ICS分类】化学分析
表面化学分析——硅片工作标准物质表面元素收集的化学方法及其全反射X射线荧光光谱测定
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【发布单位或类别】 IX-ISO国际标准化组织
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【发布日期】2004-05-18
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【CCS分类】
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【ICS分类】71.040.40化学分析
ISO 17331:2004/Amd 1:2010
表面化学分析.硅片工作标准物质表面元素收集及其全反射X射线荧光光谱测定的化学方法.修改件1
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【发布单位或类别】 IX-ISO国际标准化组织
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【发布日期】2010-07-05
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【CCS分类】
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【ICS分类】71.040.40半导体材料
表面化学分析 硅片工作标准物质表面元素收集的化学方法及其全反射X射线荧光光谱测定
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【发布单位或类别】 GB-BSI英国标准学会
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【发布日期】2005-03-31
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【CCS分类】
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【ICS分类】化学分析
通过全反射X射线荧光光谱测量硅晶片上的表面金属污染的标准测试方法(2003年提出)
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【发布单位或类别】 US-ASTM美国材料与试验协会
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【发布日期】2000-01-01
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【CCS分类】
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【ICS分类】29.045化学分析
表面化学分析 全反射X射线荧光光谱法(TXRF)测定硅片表面元素污染
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【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
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【发布日期】2021-05-21
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【CCS分类】G04
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【ICS分类】71.040.40
表面化学分析 全反射X射线荧光光谱法测定硅片表面元素污染
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【发布单位或类别】 GB-BSI英国标准学会
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【发布日期】2014-07-31
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【CCS分类】
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【ICS分类】
表面化学分析用全反射X射线荧光光谱法(TXRF)测定硅片表面元素污染
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【发布单位或类别】 JP-JSA日本工业标准调查会
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【发布日期】2005-01-01
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【CCS分类】
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【ICS分类】
表面化学分析 全反射X射线荧光光谱法测定硅片表面元素污染
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【发布单位或类别】 GB-BSI英国标准学会
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【发布日期】2001-05-15
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【CCS分类】
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【ICS分类】
表面化学分析——全反射X射线荧光光谱法测定硅片表面元素污染
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【发布单位或类别】 IX-ISO国际标准化组织
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【发布日期】2000-12-21
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【CCS分类】
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【ICS分类】71.040.40
检测流程
1、确认客户委托,寄样。
2、到样之后,确定具体的试验项目以及试验方案。
3、实验室报价。
4、签订保密协议,进行试验。
5、完成试验,确定检测报告
6、后期技术服务
友情提示:暂不接受个人委托测试
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