酸浸取-电感耦合等离子质谱仪测定-多晶硅表面金属杂质

2025-01-12 21:27:36 阅读 检测标准
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高新技术企业

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GB/T 24582-2009

酸浸取-电感耦合等离子质谱仪测定 多晶硅表面金属杂质

  • 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
  • 【发布日期】2009-10-30
  • 【CCS分类】H80半金属与半导体材料综合
  • 【ICS分类】29.045半导体材料

GB/T 24582-2023

多晶硅表面金属杂质含量测定 酸浸取-电感耦合等离子体质谱法

  • 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
  • 【发布日期】2023-08-06
  • 【CCS分类】H17半金属及半导体材料分析方法
  • 【ICS分类】77.040金属材料试验

GB/T 37049-2018

电子级多晶硅中基体金属杂质含量的测定 电感耦合等离子体质谱法

  • 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
  • 【发布日期】2018-12-28
  • 【CCS分类】H17半金属及半导体材料分析方法
  • 【ICS分类】77.040.30金属材料化学分析

DB53/T 501-2013

多晶硅用三氯氢硅杂质元素含量测定 电感耦合等离子体质谱法

  • 【发布单位或类别】 CN-DB53云南省地方标准
  • 【发布日期】2013-08-01
  • 【CCS分类】G10无机化工原料综合
  • 【ICS分类】71.040.40化学分析

T/CNIA 0141-2022

多晶硅生产用氢气中金属杂质含量的测定 电感耦合等离子体质谱法

  • 【发布单位或类别】 CN-TUANTI团体标准
  • 【发布日期】2022-02-28
  • 【CCS分类】半金属及半导体材料分析方法
  • 【ICS分类】77.040.01金属材料试验综合

T/CNIA 0017-2019

多晶硅用氯硅烷中杂质含量的测定 电感耦合等离子体质谱法

  • 【发布单位或类别】 CN-TUANTI团体标准
  • 【发布日期】2019-02-13
  • 【CCS分类】H17半金属及半导体材料分析方法
  • 【ICS分类】77.040.01金属材料试验综合

DB15/T 1239-2017

多晶硅生产净化氢气用活性炭中杂质含量的测定 电感耦合等离子体发射光谱法

  • 【发布单位或类别】 CN-DB15内蒙古自治区地方标准
  • 【发布日期】2017-09-10
  • 【CCS分类】H17金属化学分析方法
  • 【ICS分类】77.040.30金属材料化学分析

T/CNIA 0064-2020

多晶硅行业用无尘擦拭布中杂质含量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法

  • 【发布单位或类别】 CN-TUANTI团体标准
  • 【发布日期】2020-05-27
  • 【CCS分类】H10/19
  • 【ICS分类】77.040.01金属材料试验综合

T/CNIA 0116-2021

多晶硅生产尾气净化用活性炭中杂质含量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法

  • 【发布单位或类别】 CN-TUANTI团体标准
  • 【发布日期】2021-03-19
  • 【CCS分类】
  • 【ICS分类】65.020.01农业和林业综合