半导体分立器件型号命名方法
原创来源：北检院 发布时间：2025-01-13 17:35:08 点击数：
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GB/T 249-2017
半导体分立器件型号命名方法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2017-05-12
- 【CCS分类】L40半导体分立器件综合
- 【ICS分类】31.080.01半导体器分立件综合
20233684-T-339
半导体分立器件型号命名方法
- 【发布单位或类别】 CN-PLAN国家标准计划
- 【发布日期】2023-12-28
- 【CCS分类】半导体分立器件综合
- 【ICS分类】31.080.01半导体器分立件综合
GB/T 249-1989
半导体分立器件型号命名方法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】1989-03-18
- 【CCS分类】L40通信设备
- 【ICS分类】31.080半导体分立器件
JB/T 4219-1999
电力半导体器件测试设备型号命名方法
- 【发布单位或类别】 CN-JB行业标准-机械
- 【发布日期】1999-08-06
- 【CCS分类】M30/49半导体分立器件
- 【ICS分类】31.080半导体分立器件
JB/T 2423-1999
电力半导体器件型号编制方法
- 【发布单位或类别】 CN-JB行业标准-机械
- 【发布日期】1999-08-06
- 【CCS分类】L40/49电子测量与仪器综合
- 【ICS分类】31.080半导体分立器件
SJ/T 11820-2022
半导体分立器件直流参数测试设备技术要求和测量方法
- 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
- 【发布日期】2022-10-20
- 【CCS分类】L85光电子器件综合
- 【ICS分类】光电子学、激光设备
GB/T 15651.3-2003
半导体分立器件和集成电路 第5-3部分:光电子器件 测试方法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2003-11-24
- 【CCS分类】L50微电路综合
- 【ICS分类】31.260集成电路、微电子学
GB/T 3430-1989
半导体集成电路型号命名方法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】1989-03-31
- 【CCS分类】L55电子元器件
- 【ICS分类】31.200试验条件和规程综合
T/WXIOT 002-2023
汽车用半导体分立器件破坏性物理分析方法
- 【发布单位或类别】 CN-TUANTI团体标准
- 【发布日期】2023-12-22
- 【CCS分类】半导体分立器件综合
- 【ICS分类】19.020其他半导体分立器件
KS C IEC 60747-5-3-2020
分立半导体器件和集成电路 - 第5-3部分:光电器件 - 测量方法
- 【发布单位或类别】 KR-KS韩国标准
- 【发布日期】2020-12-24
- 【CCS分类】半导体分立器件综合
- 【ICS分类】31.080.99航空航天制造用零部件
GB/T 43366-2023
宇航用半导体分立器件通用规范
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2023-11-27
- 【CCS分类】3108001半导体分立器件综合
- 【ICS分类】49.035三极管
IEC 63275-1:2022
半导体器件碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性试验方法第1部分:偏置温度不稳定性试验方法
- 【发布单位或类别】 IX-IEC国际电工委员会
- 【发布日期】2022-04-21
- 【CCS分类】激光器件
- 【ICS分类】31.080.30半导体器分立件综合
GB/T 12560-1999
半导体器件 分立器件分规范
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】1999-08-02
- 【CCS分类】L40
- 【ICS分类】31.080.01半导体器分立件综合
IEC 60749-27:2006
半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第27部分:静电放电（esd）灵敏度测试 - 机器型号（mm）
- 【发布单位或类别】 IX-IEC国际电工委员会
- 【发布日期】2006-07-18
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】31.080.01半导体器分立件综合
IEC 60749-27:2006+AMD1:2012 CSV
半导体器件.机械和气候试验方法.第1部分: 27:静电放电（ESD）灵敏度测试-机器 型号（毫米）
- 【发布单位或类别】 IX-IEC国际电工委员会
- 【发布日期】2012-09-25
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】31.080.01半导体器分立件综合
GB/T 11499-2001
半导体分立器件文字符号
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2001-11-05
- 【CCS分类】L40
- 【ICS分类】31.080.01半导体器分立件综合
GB/T 20516-2006
半导体器件 分立器件 第4部分：微波器件
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2006-10-10
- 【CCS分类】L40
- 【ICS分类】31.080.01三极管
IEC 63275-2:2022
半导体器件.碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管的可靠性试验方法.第2部分:由体二极管操作引起的双极退化的试验方法
- 【发布单位或类别】 IX-IEC国际电工委员会
- 【发布日期】2022-05-11
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】31.080.30光电子学、激光设备
GB/T 15651.4-2017
半导体器件 分立器件 第5-4部分:光电子器件 半导体激光器
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2017-05-31
- 【CCS分类】L51
- 【ICS分类】31.260其他半导体分立器件
IEC 60747-5-3:1997+AMD1:2002 CSV
分立半导体器件和集成电路第5-3部分:光电子器件测量方法
- 【发布单位或类别】 IX-IEC国际电工委员会
- 【发布日期】2009-11-25
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】31.080.99
检测流程
1、确认客户委托，寄样。
2、到样之后，确定具体的试验项目以及试验方案。
3、实验室报价。
4、签订保密协议，进行试验。
5、完成试验，确定检测报告
6、后期技术服务
友情提示：暂不接受个人委托测试
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