硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量X射线光电子能谱法

原创来源:北检院    发布时间:2025-01-14 18:41:11    点击数:

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GB/T 25188-2010

硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量X射线光电子能谱法

  • 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
  • 【发布日期】2010-09-26
  • 【CCS分类】G04基础标准与通用方法
  • 【ICS分类】71.040.40化学分析

BS ISO 14701:2018

表面化学分析 X射线光电子能谱 氧化硅厚度的测量

  • 【发布单位或类别】 GB-BSI英国标准学会
  • 【发布日期】2018-11-05
  • 【CCS分类】
  • 【ICS分类】化学分析

ISO 14701:2018

表面化学分析 - X射线光电子能谱 - 氧化硅厚度的测量

  • 【发布单位或类别】 IX-ISO国际标准化组织
  • 【发布日期】2018-10-31
  • 【CCS分类】
  • 【ICS分类】71.040.40化学分析

BS ISO 14701:2011

表面化学分析 X射线光电子能谱 氧化硅厚度的测量

  • 【发布单位或类别】 GB-BSI英国标准学会
  • 【发布日期】2011-08-31
  • 【CCS分类】
  • 【ICS分类】

ISO 14701:2011

表面化学分析——X射线光电子能谱;氧化硅厚度的测量

  • 【发布单位或类别】 IX-ISO国际标准化组织
  • 【发布日期】2011-08-02
  • 【CCS分类】
  • 【ICS分类】71.040.40

BS 10/30212265 DC

BS ISO 14701 表面化学分析 X射线光电子能谱 氧化硅厚度的测量

  • 【发布单位或类别】 GB-BSI英国标准学会
  • 【发布日期】2010-09-10
  • 【CCS分类】
  • 【ICS分类】

检测流程

1、确认客户委托,寄样。

2、到样之后,确定具体的试验项目以及试验方案。

3、实验室报价。

4、签订保密协议,进行试验。

5、完成试验,确定检测报告

6、后期技术服务

友情提示:暂不接受个人委托测试

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