硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法
原创来源：北检院 发布时间：2025-01-16 13:38:01 点击数：
全国服务领域：河北、山西、黑龙江、吉林、辽宁、江苏、浙江、安徽、福建、江西、山东、河南、湖北、湖南、广东、海南、四川、贵州、云南、陕西、甘肃、青海、台湾、内蒙古、广西、西藏、宁夏、新疆、北京、天津、上海、重庆、香港、澳门
GB/T 26066-2010
硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2011-01-10
- 【CCS分类】H80半金属与半导体材料综合
- 【ICS分类】29.045半导体材料
KS C 0256-2002(2017)
具有四点探针的硅晶体和硅晶片的电阻率测试方法
- 【发布单位或类别】 KR-KS韩国标准
- 【发布日期】2002-05-29
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】17.220.01电学、磁学综合
ASTM F534-02a
硅晶片弓的标准测试方法（2003年退款）
- 【发布单位或类别】 US-ASTM美国材料与试验协会
- 【发布日期】2002-12-10
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】29.045半导体材料
ASTM F1152-02
硅晶片凹口尺寸的标准测试方法（2003年退款）
- 【发布单位或类别】 US-ASTM美国材料与试验协会
- 【发布日期】2002-01-10
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】29.045半导体材料
ASTM F951-02
硅晶片径向间质氧变化的标准测试方法（2003年）
- 【发布单位或类别】 US-ASTM美国材料与试验协会
- 【发布日期】2002-01-10
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】29.045半导体材料
ASTM F533-02a
硅晶片的厚度和厚度变化的标准测试方法（撤回2003）
- 【发布单位或类别】 US-ASTM美国材料与试验协会
- 【发布日期】2002-12-10
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】29.045半导体材料
ASTM F81-01
测量硅晶片的径向电阻率变化的标准测试方法（2003年退款）
- 【发布单位或类别】 US-ASTM美国材料与试验协会
- 【发布日期】2001-06-10
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】29.045半导体材料
ASTM F671-99
硅和其他电子材料晶片测量扁平长度的标准测试方法（2003年退款）
- 【发布单位或类别】 US-ASTM美国材料与试验协会
- 【发布日期】1999-12-10
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】29.045半导体材料
ASTM F1390-02
通过自动非接触式扫描测量硅晶片翘曲的标准测试方法（2003年）
- 【发布单位或类别】 US-ASTM美国材料与试验协会
- 【发布日期】2002-12-10
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】29.045半导体材料
ASTM F1392-02
使用汞探针测量硅晶片净载体密度谱的标准测试方法（2003年退出）
- 【发布单位或类别】 US-ASTM美国材料与试验协会
- 【发布日期】2002-12-10
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】29.045半导体材料
ASTM F1451-92(1999)
通过自动非接触扫描测量硅晶片上的Sori的标准测试方法（2003年）
- 【发布单位或类别】 US-ASTM美国材料与试验协会
- 【发布日期】1999-01-01
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】29.045半导体材料
ASTM F1239-02
通过测量间隙氧还原对硅晶片的氧沉淀特性的标准测试方法（2003年提出）
- 【发布单位或类别】 US-ASTM美国材料与试验协会
- 【发布日期】2002-01-10
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】29.045半导体材料
ASTM F847-02
通过X射线技术测量单晶硅晶片上平面晶体取向的标准测试方法（2003年）
- 【发布单位或类别】 US-ASTM美国材料与试验协会
- 【发布日期】2002-12-10
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】29.045半导体材料
ASTM F1810-97(2002)
在硅晶片中预先蚀刻或装饰的表面缺陷的标准测试方法（2003年退款）
- 【发布单位或类别】 US-ASTM美国材料与试验协会
- 【发布日期】1997-06-10
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】29.045半导体材料
ASTM F84-02
使用直列四点探针测量硅晶片的电阻率的标准测试方法（2003年退款）
- 【发布单位或类别】 US-ASTM美国材料与试验协会
- 【发布日期】2002-12-10
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】29.045半导体材料
ASTM F525-00a
使用扩展电阻测量仪测量硅晶片的电阻率的标准测试方法（2003年提出）
- 【发布单位或类别】 US-ASTM美国材料与试验协会
- 【发布日期】2000-12-10
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】29.045半导体材料
ASTM F1530-02
通过自动非接触扫描测量硅晶片的平面度 厚度和厚度变化的标准测试方法（2003年退款）
- 【发布单位或类别】 US-ASTM美国材料与试验协会
- 【发布日期】2002-12-10
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】29.045半导体材料
ASTM F1535-00
微波反射光电导衰减非接触式测量硅晶片载体重组寿命的标准测试方法（2003年）
- 【发布单位或类别】 US-ASTM美国材料与试验协会
- 【发布日期】2000-06-10
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】29.045半导体材料
ASTM F657-92(1999)
通过非接触式扫描测量硅晶片上的经纱和总厚度变化的标准测试方法（2003年退款）
- 【发布单位或类别】 US-ASTM美国材料与试验协会
- 【发布日期】1999-01-01
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】29.045半导体材料
ASTM F1393-02
通过米勒反馈分析仪测量硅晶片中的净载流子密度的标准测试方法使用汞探针（2003年提出）
- 【发布单位或类别】 US-ASTM美国材料与试验协会
- 【发布日期】2002-12-10
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】29.045半导体材料
检测流程
1、确认客户委托，寄样。
2、到样之后，确定具体的试验项目以及试验方案。
3、实验室报价。
4、签订保密协议，进行试验。
5、完成试验，确定检测报告
6、后期技术服务
友情提示：暂不接受个人委托测试
以上是关于"硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法"的介绍，如有其他问题可以咨询工程师为您服务！
实验室仪器
荣誉资质
服务项目
SERVICE PROJECT
