锗单晶电阻率直流四探针测量方法

原创来源:北检院    发布时间:2025-01-16 14:06:09    点击数:

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GB/T 26074-2010

锗单晶电阻率直流四探针测量方法

  • 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
  • 【发布日期】2011-01-10
  • 【CCS分类】H17半金属及半导体材料分析方法
  • 【ICS分类】77.040.99金属材料的其他试验方法

GB/T 1552-1995

硅、锗单晶电阻率测定 直排四探针法

  • 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
  • 【发布日期】1995-04-18
  • 【CCS分类】H21金属物理性能试验方法
  • 【ICS分类】77.040.30金属材料化学分析

\u0413\u041e\u0421\u0422 24392-80

单晶硅和锗 通过四探针法测量电阻率

  • 【发布单位或类别】 RU-GOST俄罗斯国家标准
  • 【发布日期】
  • 【CCS分类】H21金属物理性能试验方法
  • 【ICS分类】77.120.99其他有色金属及其合金

T/IAWBS 013-2019

半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法

  • 【发布单位或类别】 CN-TUANTI团体标准
  • 【发布日期】2019-12-27
  • 【CCS分类】H20/29金属理化性能试验方法
  • 【ICS分类】29.045半导体材料

T/IAWBS 011-2019

导电碳化硅单晶片电阻率测量方法—非接触涡流法

  • 【发布单位或类别】 CN-TUANTI团体标准
  • 【发布日期】2019-12-27
  • 【CCS分类】H20/29金属理化性能试验方法
  • 【ICS分类】29.045半导体材料

KS D 0260-1989(1994)

具有四点探针的单晶硅片的电阻率测试方法

  • 【发布单位或类别】 KR-KS韩国标准
  • 【发布日期】1989-12-13
  • 【CCS分类】
  • 【ICS分类】29.045半导体材料

ASTM F84-02

使用直列四点探针测量硅晶片的电阻率的标准测试方法(2003年退款)

  • 【发布单位或类别】 US-ASTM美国材料与试验协会
  • 【发布日期】2002-12-10
  • 【CCS分类】
  • 【ICS分类】29.045半导体材料

检测流程

1、确认客户委托,寄样。

2、到样之后,确定具体的试验项目以及试验方案。

3、实验室报价。

4、签订保密协议,进行试验。

5、完成试验,确定检测报告

6、后期技术服务

友情提示:暂不接受个人委托测试

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