锗单晶电阻率直流四探针测量方法
原创来源:北检院 发布时间:2025-01-16 14:06:09 点击数:
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锗单晶电阻率直流四探针测量方法
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【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
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【发布日期】2011-01-10
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【CCS分类】H17半金属及半导体材料分析方法
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【ICS分类】77.040.99金属材料的其他试验方法
硅、锗单晶电阻率测定 直排四探针法
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【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
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【发布日期】1995-04-18
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【CCS分类】H21金属物理性能试验方法
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【ICS分类】77.040.30金属材料化学分析
\u0413\u041e\u0421\u0422 24392-80
单晶硅和锗 通过四探针法测量电阻率
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【发布单位或类别】 RU-GOST俄罗斯国家标准
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【发布日期】
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【CCS分类】H21金属物理性能试验方法
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【ICS分类】77.120.99其他有色金属及其合金
半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法
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【发布单位或类别】 CN-TUANTI团体标准
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【发布日期】2019-12-27
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【CCS分类】H20/29金属理化性能试验方法
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【ICS分类】29.045半导体材料
导电碳化硅单晶片电阻率测量方法—非接触涡流法
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【发布单位或类别】 CN-TUANTI团体标准
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【发布日期】2019-12-27
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【CCS分类】H20/29金属理化性能试验方法
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【ICS分类】29.045半导体材料
具有四点探针的单晶硅片的电阻率测试方法
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【发布单位或类别】 KR-KS韩国标准
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【发布日期】1989-12-13
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【CCS分类】
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【ICS分类】29.045半导体材料
使用直列四点探针测量硅晶片的电阻率的标准测试方法(2003年退款)
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【发布单位或类别】 US-ASTM美国材料与试验协会
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【发布日期】2002-12-10
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【CCS分类】
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【ICS分类】29.045半导体材料
检测流程
1、确认客户委托,寄样。
2、到样之后,确定具体的试验项目以及试验方案。
3、实验室报价。
4、签订保密协议,进行试验。
5、完成试验,确定检测报告
6、后期技术服务
友情提示:暂不接受个人委托测试
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