锗单晶电阻率直流四探针测量方法
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CNAS认可证书
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高新技术企业
GB/T 26074-2010
锗单晶电阻率直流四探针测量方法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2011-01-10
- 【CCS分类】H17半金属及半导体材料分析方法
- 【ICS分类】77.040.99金属材料的其他试验方法
GB/T 1552-1995
硅、锗单晶电阻率测定 直排四探针法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】1995-04-18
- 【CCS分类】H21金属物理性能试验方法
- 【ICS分类】77.040.30金属材料化学分析
\u0413\u041e\u0421\u0422 24392-80
单晶硅和锗 通过四探针法测量电阻率
- 【发布单位或类别】 RU-GOST俄罗斯国家标准
- 【发布日期】
- 【CCS分类】H21金属物理性能试验方法
- 【ICS分类】77.120.99其他有色金属及其合金
T/IAWBS 013-2019
半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法
- 【发布单位或类别】 CN-TUANTI团体标准
- 【发布日期】2019-12-27
- 【CCS分类】H20/29金属理化性能试验方法
- 【ICS分类】29.045半导体材料
T/IAWBS 011-2019
导电碳化硅单晶片电阻率测量方法—非接触涡流法
- 【发布单位或类别】 CN-TUANTI团体标准
- 【发布日期】2019-12-27
- 【CCS分类】H20/29金属理化性能试验方法
- 【ICS分类】29.045半导体材料
KS D 0260-1989(1994)
具有四点探针的单晶硅片的电阻率测试方法
- 【发布单位或类别】 KR-KS韩国标准
- 【发布日期】1989-12-13
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】29.045半导体材料
ASTM F84-02
使用直列四点探针测量硅晶片的电阻率的标准测试方法（2003年退款）
- 【发布单位或类别】 US-ASTM美国材料与试验协会
- 【发布日期】2002-12-10
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】29.045半导体材料
