砷化镓单晶位错密度的测试方法

原创来源:北检院    发布时间:2025-01-17 17:08:12    点击数:

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GB/T 8760-2020

砷化镓单晶位错密度的测试方法

  • 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
  • 【发布日期】2020-09-29
  • 【CCS分类】H21金属物理性能试验方法
  • 【ICS分类】77.040金属材料试验

GB/T 8760-2006

砷化镓单晶位错密度的测量方法

  • 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
  • 【发布日期】2006-07-18
  • 【CCS分类】H17半金属及半导体材料分析方法
  • 【ICS分类】77.040.01金属材料试验综合

GB/T 8760-1988

砷化镓单晶位错密度的测量方法

  • 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
  • 【发布日期】1988-02-25
  • 【CCS分类】H24金相检验方法
  • 【ICS分类】77.040.30金属材料化学分析

GB/T 5252-2020

锗单晶位错密度的测试方法

  • 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
  • 【发布日期】2020-06-02
  • 【CCS分类】H21金属物理性能试验方法
  • 【ICS分类】77.040金属材料试验

GB/T 41765-2022

碳化硅单晶位错密度的测试方法

  • 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
  • 【发布日期】2022-10-12
  • 【CCS分类】H21金属物理性能试验方法
  • 【ICS分类】77.040金属材料试验

GB/T 19199-2015

半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法

  • 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
  • 【发布日期】2015-12-10
  • 【CCS分类】H17半金属及半导体材料分析方法
  • 【ICS分类】77.040金属材料试验

SJ/T 11490-2015

低位错密度砷化镓抛光片蚀坑密度的测量方法

  • 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
  • 【发布日期】2015-04-30
  • 【CCS分类】H83化合物半导体材料
  • 【ICS分类】29.045半导体材料

20240136-T-469

金刚石单晶抛光片位错密度的测试方法

  • 【发布单位或类别】 CN-PLAN国家标准计划
  • 【发布日期】2024-03-25
  • 【CCS分类】元素半导体材料
  • 【ICS分类】77.040金属材料试验

GB/T 19199-2003

半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法

  • 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
  • 【发布日期】2003-06-16
  • 【CCS分类】H82半金属及半导体材料分析方法
  • 【ICS分类】29.045半导体材料

T/IAWBS 018-2022

金刚石单晶抛光片位错密度的测试方法

  • 【发布单位或类别】 CN-TUANTI团体标准
  • 【发布日期】2022-12-15
  • 【CCS分类】电子技术专用材料
  • 【ICS分类】29.045半导体材料

T/IAWBS 014-2021

碳化硅单晶抛光片位错密度的测试方法

  • 【发布单位或类别】 CN-TUANTI团体标准
  • 【发布日期】2021-09-15
  • 【CCS分类】H17电子技术专用材料
  • 【ICS分类】29.045半导体材料

SJ 3249.2-1989

半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法

  • 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
  • 【发布日期】1989-03-20
  • 【CCS分类】L90
  • 【ICS分类】

SJ 3249.1-1989

半绝缘砷化镓和磷化铟体单晶材料的电阻率测试方法

  • 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
  • 【发布日期】1989-03-20
  • 【CCS分类】L90
  • 【ICS分类】

检测流程

1、确认客户委托,寄样。

2、到样之后,确定具体的试验项目以及试验方案。

3、实验室报价。

4、签订保密协议,进行试验。

5、完成试验,确定检测报告

6、后期技术服务

友情提示:暂不接受个人委托测试

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