砷化镓单晶位错密度的测试方法
原创来源:北检院 发布时间:2025-01-17 17:08:12 点击数:
全国服务领域:河北、山西、黑龙江、吉林、辽宁、江苏、浙江、安徽、福建、江西、山东、河南、湖北、湖南、广东、海南、四川、贵州、云南、陕西、甘肃、青海、台湾、内蒙古、广西、西藏、宁夏、新疆、北京、天津、上海、重庆、香港、澳门
砷化镓单晶位错密度的测试方法
-
【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
-
【发布日期】2020-09-29
-
【CCS分类】H21金属物理性能试验方法
-
【ICS分类】77.040金属材料试验
砷化镓单晶位错密度的测量方法
-
【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
-
【发布日期】2006-07-18
-
【CCS分类】H17半金属及半导体材料分析方法
-
【ICS分类】77.040.01金属材料试验综合
砷化镓单晶位错密度的测量方法
-
【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
-
【发布日期】1988-02-25
-
【CCS分类】H24金相检验方法
-
【ICS分类】77.040.30金属材料化学分析
锗单晶位错密度的测试方法
-
【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
-
【发布日期】2020-06-02
-
【CCS分类】H21金属物理性能试验方法
-
【ICS分类】77.040金属材料试验
碳化硅单晶位错密度的测试方法
-
【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
-
【发布日期】2022-10-12
-
【CCS分类】H21金属物理性能试验方法
-
【ICS分类】77.040金属材料试验
半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法
-
【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
-
【发布日期】2015-12-10
-
【CCS分类】H17半金属及半导体材料分析方法
-
【ICS分类】77.040金属材料试验
低位错密度砷化镓抛光片蚀坑密度的测量方法
-
【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
-
【发布日期】2015-04-30
-
【CCS分类】H83化合物半导体材料
-
【ICS分类】29.045半导体材料
金刚石单晶抛光片位错密度的测试方法
-
【发布单位或类别】 CN-PLAN国家标准计划
-
【发布日期】2024-03-25
-
【CCS分类】元素半导体材料
-
【ICS分类】77.040金属材料试验
半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法
-
【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
-
【发布日期】2003-06-16
-
【CCS分类】H82半金属及半导体材料分析方法
-
【ICS分类】29.045半导体材料
金刚石单晶抛光片位错密度的测试方法
-
【发布单位或类别】 CN-TUANTI团体标准
-
【发布日期】2022-12-15
-
【CCS分类】电子技术专用材料
-
【ICS分类】29.045半导体材料
碳化硅单晶抛光片位错密度的测试方法
-
【发布单位或类别】 CN-TUANTI团体标准
-
【发布日期】2021-09-15
-
【CCS分类】H17电子技术专用材料
-
【ICS分类】29.045半导体材料
半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法
-
【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
-
【发布日期】1989-03-20
-
【CCS分类】L90
-
【ICS分类】
半绝缘砷化镓和磷化铟体单晶材料的电阻率测试方法
-
【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
-
【发布日期】1989-03-20
-
【CCS分类】L90
-
【ICS分类】
检测流程
1、确认客户委托,寄样。
2、到样之后,确定具体的试验项目以及试验方案。
3、实验室报价。
4、签订保密协议,进行试验。
5、完成试验,确定检测报告
6、后期技术服务
友情提示:暂不接受个人委托测试
以上是关于"砷化镓单晶位错密度的测试方法"的介绍,如有其他问题可以咨询工程师为您服务!
实验室仪器

荣誉资质

