砷化镓单晶位错密度的测试方法
CMA资质认定
CNAS认可证书
ISO认证
高新技术企业
GB/T 8760-2020
砷化镓单晶位错密度的测试方法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2020-09-29
- 【CCS分类】H21金属物理性能试验方法
- 【ICS分类】77.040金属材料试验
GB/T 8760-2006
砷化镓单晶位错密度的测量方法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2006-07-18
- 【CCS分类】H17半金属及半导体材料分析方法
- 【ICS分类】77.040.01金属材料试验综合
GB/T 8760-1988
砷化镓单晶位错密度的测量方法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】1988-02-25
- 【CCS分类】H24金相检验方法
- 【ICS分类】77.040.30金属材料化学分析
GB/T 5252-2020
锗单晶位错密度的测试方法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2020-06-02
- 【CCS分类】H21金属物理性能试验方法
- 【ICS分类】77.040金属材料试验
GB/T 41765-2022
碳化硅单晶位错密度的测试方法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2022-10-12
- 【CCS分类】H21金属物理性能试验方法
- 【ICS分类】77.040金属材料试验
GB/T 19199-2015
半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2015-12-10
- 【CCS分类】H17半金属及半导体材料分析方法
- 【ICS分类】77.040金属材料试验
SJ/T 11490-2015
低位错密度砷化镓抛光片蚀坑密度的测量方法
- 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
- 【发布日期】2015-04-30
- 【CCS分类】H83化合物半导体材料
- 【ICS分类】29.045半导体材料
20240136-T-469
金刚石单晶抛光片位错密度的测试方法
- 【发布单位或类别】 CN-PLAN国家标准计划
- 【发布日期】2024-03-25
- 【CCS分类】元素半导体材料
- 【ICS分类】77.040金属材料试验
GB/T 19199-2003
半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2003-06-16
- 【CCS分类】H82半金属及半导体材料分析方法
- 【ICS分类】29.045半导体材料
T/IAWBS 018-2022
金刚石单晶抛光片位错密度的测试方法
- 【发布单位或类别】 CN-TUANTI团体标准
- 【发布日期】2022-12-15
- 【CCS分类】电子技术专用材料
- 【ICS分类】29.045半导体材料
T/IAWBS 014-2021
碳化硅单晶抛光片位错密度的测试方法
- 【发布单位或类别】 CN-TUANTI团体标准
- 【发布日期】2021-09-15
- 【CCS分类】H17电子技术专用材料
- 【ICS分类】29.045半导体材料
SJ 3249.2-1989
半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法
- 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
- 【发布日期】1989-03-20
- 【CCS分类】L90
- 【ICS分类】
SJ 3249.1-1989
半绝缘砷化镓和磷化铟体单晶材料的电阻率测试方法
- 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
- 【发布日期】1989-03-20
- 【CCS分类】L90
- 【ICS分类】
