半导体器件-分立器件-第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT)
原创来源：北检院 发布时间：2025-01-22 12:52:17 点击数：
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GB/T 29332-2012
半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2012-12-31
- 【CCS分类】L42半导体三极管
- 【ICS分类】31.080.30三极管
GB/T 4587-2023
半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2023-09-07
- 【CCS分类】L40半导体分立器件综合
- 【ICS分类】31.080.30三极管
KS C IEC 60747-9-2024
半导体器件第9部分:分立器件绝缘栅双极晶体管
- 【发布单位或类别】 KR-KS韩国标准
- 【发布日期】2024-06-07
- 【CCS分类】半导体三极管
- 【ICS分类】三极管
IEC 60747-9:2019
半导体器件第9部分:分立器件绝缘栅双极晶体管
- 【发布单位或类别】 IX-IEC国际电工委员会
- 【发布日期】2019-11-13
- 【CCS分类】半导体三极管
- 【ICS分类】31.080.30三极管
GB/T 7576-1998
半导体器件 分立器件 第7部分:双极型晶体管 第四篇 高频放大管壳额定双极型晶体管空白详细规范
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】1998-11-17
- 【CCS分类】L42半导体三极管
- 【ICS分类】31.080.30三极管
GB/T 6217-1998
半导体器件 分立器件 第7部分:双极型晶体管 第一篇 高低频放大环境额定的双极型晶体管空白详细规范
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】1998-11-17
- 【CCS分类】L42半导体三极管
- 【ICS分类】31.080.30半导体分立器件
GB/T 4587-1994
半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】1994-12-30
- 【CCS分类】L42半导体二极管
- 【ICS分类】31.080半导体分立器件
BS 05/30135225 DC
IEC 60749-9第2版 半导体器件 离散设备 第九部分 绝缘栅双极晶体管（IGBT）
- 【发布单位或类别】 GB-BSI英国标准学会
- 【发布日期】2005-06-20
- 【CCS分类】半导体三极管
- 【ICS分类】半导体器分立件综合
GB/T 4586-1994
半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】1994-12-30
- 【CCS分类】L42场效应器件
- 【ICS分类】31.080三极管
IEC 60747-9:2007
半导体器件 - 分立器件 - 第9部分:绝缘栅双极晶体管（igbts）
- 【发布单位或类别】 IX-IEC国际电工委员会
- 【发布日期】2007-09-26
- 【CCS分类】半导体整流器件
- 【ICS分类】31.080.01三极管
GB/T 21039.1-2007
半导体器件 分立器件 第4-1部分：微波二极管和晶体管 微波场效应晶体管空白详细规范
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2007-06-29
- 【CCS分类】L41半导体整流器件
- 【ICS分类】31.080.30三极管
GB/T 6219-1998
半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 第一篇 1 GHz、5 W以下的单栅场效应晶体管 空白详细规范
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】1998-11-17
- 【CCS分类】L42
- 【ICS分类】31.080.30三极管
KS C IEC 60747-7-2022
半导体器件.分立器件.第7部分:双极晶体管
- 【发布单位或类别】 KR-KS韩国标准
- 【发布日期】2022-12-08
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】31.080.30三极管
IEC 60747-7:2010+AMD1:2019 CSV
半导体器件分立器件第7部分:双极晶体管
- 【发布单位或类别】 IX-IEC国际电工委员会
- 【发布日期】2019-09-23
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】31.080.30三极管
SJ/T 9014.8.2-2018
半导体器件 分立器件第8-2部分：超结金属氧化物半导体场效应晶体管空白详细规范
- 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
- 【发布日期】2018-04-30
- 【CCS分类】L44
- 【ICS分类】31.080.30三极管
KS C IEC 60747-7-2017
半导体器件分立器件第7部分:双极晶体管
- 【发布单位或类别】 KR-KS韩国标准
- 【发布日期】2017-05-30
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】31.080.30晶体闸流管
IEC 60747-7:2010
半导体器件 - 分立器件 - 第7部分:双极晶体管
- 【发布单位或类别】 IX-IEC国际电工委员会
- 【发布日期】2010-12-16
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】31.080.30晶体闸流管
GB/T 6590-1998
半导体器件 分立器件 第6部分:闸流晶体管 第二篇 100A以下环境或管壳额定的双向三极闸流晶体管空白详细规范
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】1998-11-17
- 【CCS分类】L43
- 【ICS分类】31.080.20
BS 04/30113287 DC
IEC 60747-9第2版 半导体器件 离散设备 第九部分 绝缘栅双极晶体管（IGBT）
- 【发布单位或类别】 GB-BSI英国标准学会
- 【发布日期】2004-05-06
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】
GB/T 6352-1998
半导体器件 分立器件 第6部分:闸流晶体管 第一篇 100A以下环境或管壳额定反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】1998-11-17
- 【CCS分类】L43
- 【ICS分类】31.080.20
检测流程
1、确认客户委托，寄样。
2、到样之后，确定具体的试验项目以及试验方案。
3、实验室报价。
4、签订保密协议，进行试验。
5、完成试验，确定检测报告
6、后期技术服务
友情提示：暂不接受个人委托测试
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