半导体器件-分立器件-第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT)

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高新技术企业

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GB/T 29332-2012

半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT)

  • 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
  • 【发布日期】2012-12-31
  • 【CCS分类】L42半导体三极管
  • 【ICS分类】31.080.30三极管

GB/T 4587-2023

半导体器件 分立器件 第7部分:双极型晶体管

  • 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
  • 【发布日期】2023-09-07
  • 【CCS分类】L40半导体分立器件综合
  • 【ICS分类】31.080.30三极管

KS C IEC 60747-9-2024

半导体器件第9部分:分立器件绝缘栅双极晶体管

  • 【发布单位或类别】 KR-KS韩国标准
  • 【发布日期】2024-06-07
  • 【CCS分类】半导体三极管
  • 【ICS分类】三极管

IEC 60747-9:2019

半导体器件第9部分:分立器件绝缘栅双极晶体管

  • 【发布单位或类别】 IX-IEC国际电工委员会
  • 【发布日期】2019-11-13
  • 【CCS分类】半导体三极管
  • 【ICS分类】31.080.30三极管

GB/T 7576-1998

半导体器件 分立器件 第7部分:双极型晶体管 第四篇 高频放大管壳额定双极型晶体管空白详细规范

  • 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
  • 【发布日期】1998-11-17
  • 【CCS分类】L42半导体三极管
  • 【ICS分类】31.080.30三极管

GB/T 6217-1998

半导体器件 分立器件 第7部分:双极型晶体管 第一篇 高低频放大环境额定的双极型晶体管空白详细规范

  • 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
  • 【发布日期】1998-11-17
  • 【CCS分类】L42半导体三极管
  • 【ICS分类】31.080.30半导体分立器件

GB/T 4587-1994

半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管

  • 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
  • 【发布日期】1994-12-30
  • 【CCS分类】L42半导体二极管
  • 【ICS分类】31.080半导体分立器件

BS 05/30135225 DC

IEC 60749-9第2版 半导体器件 离散设备 第九部分 绝缘栅双极晶体管(IGBT)

  • 【发布单位或类别】 GB-BSI英国标准学会
  • 【发布日期】2005-06-20
  • 【CCS分类】半导体三极管
  • 【ICS分类】半导体器分立件综合

GB/T 4586-1994

半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管

  • 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
  • 【发布日期】1994-12-30
  • 【CCS分类】L42场效应器件
  • 【ICS分类】31.080三极管

IEC 60747-9:2007

半导体器件 - 分立器件 - 第9部分:绝缘栅双极晶体管(igbts)

  • 【发布单位或类别】 IX-IEC国际电工委员会
  • 【发布日期】2007-09-26
  • 【CCS分类】半导体整流器件
  • 【ICS分类】31.080.01三极管

GB/T 21039.1-2007

半导体器件 分立器件 第4-1部分:微波二极管和晶体管 微波场效应晶体管空白详细规范

  • 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
  • 【发布日期】2007-06-29
  • 【CCS分类】L41半导体整流器件
  • 【ICS分类】31.080.30三极管

GB/T 6219-1998

半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 第一篇 1 GHz、5 W以下的单栅场效应晶体管 空白详细规范

  • 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
  • 【发布日期】1998-11-17
  • 【CCS分类】L42
  • 【ICS分类】31.080.30三极管

KS C IEC 60747-7-2022

半导体器件.分立器件.第7部分:双极晶体管

  • 【发布单位或类别】 KR-KS韩国标准
  • 【发布日期】2022-12-08
  • 【CCS分类】
  • 【ICS分类】31.080.30三极管

IEC 60747-7:2010+AMD1:2019 CSV

半导体器件分立器件第7部分:双极晶体管

  • 【发布单位或类别】 IX-IEC国际电工委员会
  • 【发布日期】2019-09-23
  • 【CCS分类】
  • 【ICS分类】31.080.30三极管

SJ/T 9014.8.2-2018

半导体器件 分立器件第8-2部分:超结金属氧化物半导体场效应晶体管空白详细规范

  • 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
  • 【发布日期】2018-04-30
  • 【CCS分类】L44
  • 【ICS分类】31.080.30三极管

KS C IEC 60747-7-2017

半导体器件分立器件第7部分:双极晶体管

  • 【发布单位或类别】 KR-KS韩国标准
  • 【发布日期】2017-05-30
  • 【CCS分类】
  • 【ICS分类】31.080.30晶体闸流管

IEC 60747-7:2010

半导体器件 - 分立器件 - 第7部分:双极晶体管

  • 【发布单位或类别】 IX-IEC国际电工委员会
  • 【发布日期】2010-12-16
  • 【CCS分类】
  • 【ICS分类】31.080.30晶体闸流管

GB/T 6590-1998

半导体器件 分立器件 第6部分:闸流晶体管 第二篇 100A以下环境或管壳额定的双向三极闸流晶体管空白详细规范

  • 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
  • 【发布日期】1998-11-17
  • 【CCS分类】L43
  • 【ICS分类】31.080.20

BS 04/30113287 DC

IEC 60747-9第2版 半导体器件 离散设备 第九部分 绝缘栅双极晶体管(IGBT)

  • 【发布单位或类别】 GB-BSI英国标准学会
  • 【发布日期】2004-05-06
  • 【CCS分类】
  • 【ICS分类】

GB/T 6352-1998

半导体器件 分立器件 第6部分:闸流晶体管 第一篇 100A以下环境或管壳额定反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范

  • 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
  • 【发布日期】1998-11-17
  • 【CCS分类】L43
  • 【ICS分类】31.080.20