硅基MEMS制造技术-基于SOI硅片的MEMS工艺规范
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CNAS认可证书
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高新技术企业
GB/T 32814-2016
硅基MEMS制造技术 基于SOI硅片的MEMS工艺规范
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2016-08-29
- 【CCS分类】L55微电路综合
- 【ICS分类】31.200集成电路、微电子学
T/SEPA 4-2022
局部放电EFPI光纤超声传感器探头MEMS制造技术 第1部分：基于SOI硅片的工艺规范
- 【发布单位或类别】 CN-TUANTI团体标准
- 【发布日期】2022-12-01
- 【CCS分类】K40输变电设备综合
- 【ICS分类】29.020电气工程综合
GB/T 32816-2016
硅基MEMS制造技术 以深刻蚀与键合为核心的工艺集成规范
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2016-08-29
- 【CCS分类】L55微电路综合
- 【ICS分类】31.200集成电路、微电子学
GB/T 28276-2012
硅基MEMS制造技术 体硅溶片工艺规范
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2012-05-11
- 【CCS分类】L55微电路综合
- 【ICS分类】31.200集成电路、微电子学
GB/T 32815-2016
硅基MEMS制造技术 体硅压阻加工工艺规范
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2016-08-29
- 【CCS分类】L55微电路综合
- 【ICS分类】31.200集成电路、微电子学
GB/T 28275-2012
硅基MEMS制造技术 氢氧化钾腐蚀工艺规范
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2012-05-11
- 【CCS分类】L55微电路综合
- 【ICS分类】31.200集成电路、微电子学
