半导体器件 分立器件 第6部分：晶闸管 第三篇 电流大于100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范
原创来源：北检院 发布时间：2025-02-21 18:56:40 点击数：
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GB/T 13151-2005
半导体器件 分立器件 第6部分:晶闸管 第3篇 电流大于 100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2005-03-23
- 【CCS分类】K46电力半导体器件、部件
- 【ICS分类】31.080.20晶体闸流管
GB/T 6352-1998
半导体器件 分立器件 第6部分:闸流晶体管 第一篇 100A以下环境或管壳额定反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】1998-11-17
- 【CCS分类】L43半导体整流器件
- 【ICS分类】31.080.20晶体闸流管
KS C IEC 60747-6-3-2006(2021)
半导体器件分立器件第6部分:晶闸管第三节:电流大于100A的环境和外壳额定反向阻断三极晶闸管空白详细规范
- 【发布单位或类别】 KR-KS韩国标准
- 【发布日期】2006-12-11
- 【CCS分类】半导体整流器件
- 【ICS分类】31.080.20晶体闸流管
GB/T 6590-1998
半导体器件 分立器件 第6部分:闸流晶体管 第二篇 100A以下环境或管壳额定的双向三极闸流晶体管空白详细规范
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】1998-11-17
- 【CCS分类】L43电力半导体器件、部件
- 【ICS分类】31.080.20晶体闸流管
KS C IEC 60747-6-3-2006(2016)
半导体器件分立器件第6部分:晶闸管第三节:电流大于100A的环境和外壳额定反向阻断三极晶闸管空白详细规范
- 【发布单位或类别】 KR-KS韩国标准
- 【发布日期】2006-12-11
- 【CCS分类】电力半导体器件、部件
- 【ICS分类】31.080.20晶体闸流管
KS C IEC 60747-6-1-2006(2021)
半导体器件分立器件第6部分:晶闸管第一节:100A以下环境或外壳额定反向阻断三极晶闸管空白详细规范
- 【发布单位或类别】 KR-KS韩国标准
- 【发布日期】2006-12-11
- 【CCS分类】电力半导体器件、部件
- 【ICS分类】31.080.20晶体闸流管
KS C IEC 60747-6-1-2006(2016)
半导体器件分立器件第6部分:晶闸管第一节:100A及以下环境或外壳额定反向阻断三极晶闸管空白详细规范
- 【发布单位或类别】 KR-KS韩国标准
- 【发布日期】2006-12-11
- 【CCS分类】电力半导体器件、部件
- 【ICS分类】31.080.20晶体闸流管
GB/T 13150-2005
半导体器件 分立器件 电流大于 100A、环境和管壳额定的双向三极晶闸管空白详细规范
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2005-03-23
- 【CCS分类】K46
- 【ICS分类】31.080.20晶体闸流管
GB/T 13150-1991
100A以上环境或管壳额定双向三极晶闸管空白详细规范
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】1991-08-29
- 【CCS分类】K46
- 【ICS分类】31.080.20晶体闸流管
GB/T 13151-1991
100A以上环境或管壳额定反向阻断三极晶闸管空白详细规范
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】1991-08-29
- 【CCS分类】K46
- 【ICS分类】31.080.20晶体闸流管
GB/T 13152-1991
5A/5A 以上环境或管壳额定逆导三极晶闸管空白详细规范
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】1991-08-29
- 【CCS分类】K46
- 【ICS分类】31.080.20晶体闸流管
KS C IEC 60747-6-2-2006(2021)
半导体器件分立器件第6部分:晶闸管第二节:100A以下环境或外壳额定双向三极晶闸管空白详细规范
- 【发布单位或类别】 KR-KS韩国标准
- 【发布日期】2006-12-11
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】31.080.20晶体闸流管
KS C IEC 60747-6-2-2006(2016)
半导体器件分立器件第6部分:晶闸管第二节:100A及以下环境或外壳额定双向三极晶闸管空白详细规范
- 【发布单位或类别】 KR-KS韩国标准
- 【发布日期】2006-12-11
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】31.080.20晶体闸流管
MIL MIL-S-19500/438 Notice 3-Validation
半导体器件 三极晶闸管（双向） 硅 2N5806至2N5809型
- 【发布单位或类别】 US-MIL美国军事规范和标准
- 【发布日期】2004-03-24
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】
MIL MIL-S-19500/438 Notice 2-Inactivation
半导体器件 三极晶闸管（双向） 硅 2N5806至2N5809型
- 【发布单位或类别】 US-MIL美国军事规范和标准
- 【发布日期】1999-06-07
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】
BS QC 750111:1991
电子元件质量评定协调体系规范 半导体分立器件 空白详细规范 双向三极晶闸管（TRIAC） 环境或外壳额定 高达100 A
- 【发布单位或类别】 GB-BSI英国标准学会
- 【发布日期】1992-01-31
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】
MIL MIL-S-19500/438 Notice 1-Validation
半导体器件 三极晶闸管（双向） 硅 2N5806至2N5809型
- 【发布单位或类别】 US-MIL美国军事规范和标准
- 【发布日期】1988-08-24
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】
BS QC 750110:1990
电子元件质量评定协调体系规范 半导体分立器件 空白详细规范 反向阻断三极晶闸管 环境和外壳额定 高达100 A
- 【发布单位或类别】 GB-BSI英国标准学会
- 【发布日期】1990-02-15
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】
BS QC 750113:1994
电子元件质量评定协调体系规范 空白详细规范:电流大于100 A的环境和外壳额定反向阻断三极晶闸管
- 【发布单位或类别】 GB-BSI英国标准学会
- 【发布日期】1994-03-15
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】
MIL MIL-S-19500/438 Notice 4-Validation
半导体器件 三极晶闸管（双向） 硅 2N5806至2N5809型
- 【发布单位或类别】 US-MIL美国军事规范和标准
- 【发布日期】2011-07-12
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】
检测流程
1、确认客户委托，寄样。
2、到样之后，确定具体的试验项目以及试验方案。
3、实验室报价。
4、签订保密协议，进行试验。
5、完成试验，确定检测报告
6、后期技术服务
友情提示：暂不接受个人委托测试
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