双折射晶体和偏振器件测试规范
原创来源：北检院 发布时间：2025-02-23 03:59:54 点击数：
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GB/T 14077-1993
双折射晶体和偏振器件测试规范
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】1993-02-06
- 【CCS分类】N05仪器、仪表用材料和元件
- 【ICS分类】17.180.20颜色和光的测量
YS/T 839-2012
硅衬底上绝缘体薄膜厚度及折射率的椭圆偏振测试方法
- 【发布单位或类别】 CN-YS行业标准-有色金属
- 【发布日期】2012-11-07
- 【CCS分类】H68贵金属及其合金
- 【ICS分类】77.120.99其他有色金属及其合金
GB/T 6495.11-2016
光伏器件 第11部分：晶体硅太阳电池初始光致衰减测试方法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2016-04-25
- 【CCS分类】F12太阳能
- 【ICS分类】27.160太阳能工程
IEC 62416:2010
半导体器件 - Mos晶体管上的热载体测试
- 【发布单位或类别】 IX-IEC国际电工委员会
- 【发布日期】2010-04-26
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】31.080半导体分立器件
BS EN 62416:2010
半导体器件 MOS晶体管的热载流子测试
- 【发布单位或类别】 GB-BSI英国标准学会
- 【发布日期】2010-07-31
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】其他半导体分立器件
20241488-T-339
半导体器件 柔性可拉伸半导体器件 第9部分：一晶体管一电阻式（1T1R）电阻存储单元性能测试方法
- 【发布单位或类别】 CN-PLAN国家标准计划
- 【发布日期】2024-05-31
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】31.080.99半导体分立器件
IEC 62417:2010
半导体器件 - 金属氧化物半导体场效应晶体管（mosfets）的移动离子测试
- 【发布单位或类别】 IX-IEC国际电工委员会
- 【发布日期】2010-04-22
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】31.080其他半导体分立器件
IEC 62951-9:2022
半导体器件.柔性和可拉伸半导体器件.第9部分:单晶体管和单电阻器（1T1R）电阻存储单元的性能测试方法
- 【发布单位或类别】 IX-IEC国际电工委员会
- 【发布日期】2022-12-14
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】31.080.99
UNE-EN 61300-3-2:2000
光纤互连设备和无源元件 基本测试和测量程序 第3-2部分:检查和测量 单模光纤器件中衰减的偏振依赖性
- 【发布单位或类别】 ES-UNE西班牙标准
- 【发布日期】2000-10-17
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】
BS 04/30124691 DC
IEC 61300-3-2第3版 光纤互连设备和无源元件 基本测试和测量程序 第3-2部分 检查和测量 单模光纤器件中衰减的偏振依赖性
- 【发布单位或类别】 GB-BSI英国标准学会
- 【发布日期】2004-11-01
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】
检测流程
1、确认客户委托，寄样。
2、到样之后，确定具体的试验项目以及试验方案。
3、实验室报价。
4、签订保密协议，进行试验。
5、完成试验，确定检测报告
6、后期技术服务
友情提示：暂不接受个人委托测试
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