硅外延片
原创来源：北检院 发布时间：2025-02-23 06:20:36 点击数：
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GB/T 44334-2024
埋层硅外延片
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2024-08-23
- 【CCS分类】H82元素半导体材料
- 【ICS分类】29.045半导体材料
GB/T 14139-2019
硅外延片
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2019-06-04
- 【CCS分类】H82元素半导体材料
- 【ICS分类】29.045半导体材料
GB/T 35310-2017
200mm硅外延片
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2017-12-29
- 【CCS分类】H82元素半导体材料
- 【ICS分类】29.045半导体材料
GB/T 43885-2024
碳化硅外延片
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2024-04-25
- 【CCS分类】H83化合物半导体材料
- 【ICS分类】29.045半导体材料
GB/T 14015-1992
硅-蓝宝石外延片
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】1992-12-28
- 【CCS分类】L90电子技术专用材料
- 【ICS分类】29.045半导体材料
GB/T 14139-2009
硅外延片
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2009-10-30
- 【CCS分类】H80半金属与半导体材料综合
- 【ICS分类】29.045半导体材料
GB/T 14139-1993
硅外延片
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】1993-02-06
- 【CCS分类】H81半金属
- 【ICS分类】29.045半导体材料
GB/T 42902-2023
碳化硅外延片表面缺陷的测试 激光散射法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2023-08-06
- 【CCS分类】H21金属物理性能试验方法
- 【ICS分类】77.040金属材料试验
20243061-T-469
300 mm硅外延片
- 【发布单位或类别】 CN-PLAN国家标准计划
- 【发布日期】2024-09-29
- 【CCS分类】半金属与半导体材料综合
- 【ICS分类】29.045半导体材料
GB/T 24575-2009
硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2009-10-30
- 【CCS分类】H80金相检验方法
- 【ICS分类】29.045半导体材料
GB/T 17169-1997
硅抛光片和外延片表面质量光反射测试方法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】1997-12-22
- 【CCS分类】H24化合物半导体材料
- 【ICS分类】29.045半导体材料
DL/T 2310-2021
电力系统高压功率器件用碳化硅外延片使用条件
- 【发布单位或类别】 CN-DL行业标准-电力
- 【发布日期】2021-04-26
- 【CCS分类】H83元素半导体材料
- 【ICS分类】29.045半导体材料
T/ZZB 2833-2022
高压MOSFET用200 mm硅外延片
- 【发布单位或类别】 CN-TUANTI团体标准
- 【发布日期】2022-12-08
- 【CCS分类】H82电子技术专用材料
- 【ICS分类】29.045半导体材料
GB/T 43493.1-2023
半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分：缺陷分类
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2023-12-28
- 【CCS分类】L90电子技术专用材料
- 【ICS分类】31.080.99其他半导体分立器件
SJ 20514-1995
微波功率晶体管用硅外延片规范
- 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
- 【发布日期】1995-05-25
- 【CCS分类】L90电子技术专用材料
- 【ICS分类】其他半导体分立器件
GB/T 43493.2-2023
半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分：缺陷的光学检测方法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2023-12-28
- 【CCS分类】L90电子技术专用材料
- 【ICS分类】31.080.99其他半导体分立器件
SJ 1549-1979
硅外延片（暂行）
- 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
- 【发布日期】1980-03-01
- 【CCS分类】L90电子技术专用材料
- 【ICS分类】半导体材料
GB/T 43493.3-2023
半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第3部分：缺陷的光致发光检测方法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2023-12-28
- 【CCS分类】L90电子技术专用材料
- 【ICS分类】31.080.99
SJ 1550-1979
硅外延片检测方法
- 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
- 【发布日期】1980-03-01
- 【CCS分类】L90化合物半导体材料
- 【ICS分类】
GB/T 30652-2023
硅外延用三氯氢硅
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2023-08-06
- 【CCS分类】H83
- 【ICS分类】29.045
检测流程
1、确认客户委托，寄样。
2、到样之后，确定具体的试验项目以及试验方案。
3、实验室报价。
4、签订保密协议，进行试验。
5、完成试验，确定检测报告
6、后期技术服务
友情提示：暂不接受个人委托测试
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