300～900μm硅片间隙氧含量红外吸收测量方法
CMA资质认定
CNAS认可证书
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高新技术企业
GB/T 14143-1993
300～900μm硅片间隙氧含量红外吸收测量方法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】1993-02-06
- 【CCS分类】H26金属无损检验方法
- 【ICS分类】31.200集成电路、微电子学
GB/T 1557-2018
硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2018-09-17
- 【CCS分类】H17半金属及半导体材料分析方法
- 【ICS分类】77.040金属材料试验
GB/T 1557-2006
硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2006-07-18
- 【CCS分类】H17半金属及半导体材料分析方法
- 【ICS分类】77.040.01金属材料试验综合
GB/T 1557-1989
硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】1989-03-31
- 【CCS分类】H21金属物理性能试验方法
- 【ICS分类】77.040.30金属材料化学分析
ASTM F1188-02
短基因红外吸收硅片间隙原子氧含量的标准测试方法（2003年）
- 【发布单位或类别】 US-ASTM美国材料与试验协会
- 【发布日期】2002-12-10
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】29.045半导体材料
ASTM F1619-95(2000)
以布鲁斯特角入射的p偏振辐射通过红外吸收光谱法测量硅片间隙氧含量的标准试验方法
- 【发布单位或类别】 US-ASTM美国材料与试验协会
- 【发布日期】1995-09-15
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】半导体材料
ASTM F1619-95(2000)e1
用在布儒斯特角入射的p偏振辐射的红外吸收光谱法测量硅片间隙氧含量的标准试验方法（2003年撤销）
- 【发布单位或类别】 US-ASTM美国材料与试验协会
- 【发布日期】1995-09-15
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】29.045半导体材料
ASTM F1189-88
用计算机辅助红外分光光度法测量双面抛光硅片间隙氧含量的试验方法（1993年撤销）
- 【发布单位或类别】 US-ASTM美国材料与试验协会
- 【发布日期】
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】29.045
