硅外延层载流子浓度测定汞探针电容-电压法
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高新技术企业
GB/T 14146-2009
硅外延层载流子浓度测定汞探针电容-电压法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2009-10-30
- 【CCS分类】H80半金属与半导体材料综合
- 【ICS分类】29.045半导体材料
GB/T 14146-1993
硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】1993-02-06
- 【CCS分类】H21金属物理性能试验方法
- 【ICS分类】77.120有色金属
T/IAWBS 003-2017
碳化硅外延层载流子浓度测定_汞探针电容-电压法
- 【发布单位或类别】 CN-TUANTI团体标准
- 【发布日期】2017-12-20
- 【CCS分类】H80半金属与半导体材料综合
- 【ICS分类】29.045半导体材料
GB/T 14146-2021
硅外延层载流子浓度的测试 电容-电压法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2021-05-21
- 【CCS分类】H21金属物理性能试验方法
- 【ICS分类】77.040金属材料试验
GB/T 14863-2013
用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2013-12-31
- 【CCS分类】H80半金属与半导体材料综合
- 【ICS分类】29.045半导体材料
GB/T 14863-1993
用栅控和非栅控二极管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的标准方法
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】1993-12-30
- 【CCS分类】L41半导体二极管
- 【ICS分类】29.045半导体材料
SJ 1551-1979
硅外延层电阻率测试方法（电容－电压法）（暂行）
- 【发布单位或类别】 CN-SJ行业标准-电子
- 【发布日期】1980-03-01
- 【CCS分类】L90电子技术专用材料
- 【ICS分类】二极管
ASTM F419-94
通过制造交叉点或肖特基二极管上的电容电压测量来确定硅外延层中的载流子密度的测试方法（2001年）
- 【发布单位或类别】 US-ASTM美国材料与试验协会
- 【发布日期】1994-01-01
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】31.080.10
