半导体器件 第6部分：晶闸管
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高新技术企业
GB/T 15291-2015
半导体器件 第6部分：晶闸管
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2015-12-31
- 【CCS分类】K46电力半导体器件、部件
- 【ICS分类】31.080.20晶体闸流管
GB/T 13151-2005
半导体器件 分立器件 第6部分:晶闸管 第3篇 电流大于 100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2005-03-23
- 【CCS分类】K46电力半导体器件、部件
- 【ICS分类】31.080.20晶体闸流管
GB/T 15291-1994
半导体器件 第6部分 晶闸管
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】1994-12-07
- 【CCS分类】K46电力半导体器件、部件
- 【ICS分类】31.080.20晶体闸流管
GB/T 6590-1998
半导体器件 分立器件 第6部分:闸流晶体管 第二篇 100A以下环境或管壳额定的双向三极闸流晶体管空白详细规范
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】1998-11-17
- 【CCS分类】L43半导体整流器件
- 【ICS分类】31.080.20晶体闸流管
GB/T 6352-1998
半导体器件 分立器件 第6部分:闸流晶体管 第一篇 100A以下环境或管壳额定反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】1998-11-17
- 【CCS分类】L43半导体整流器件
- 【ICS分类】31.080.20晶体闸流管
KS C IEC 60747-6-2021
半导体器件第6部分:分立器件晶闸管
- 【发布单位或类别】 KR-KS韩国标准
- 【发布日期】2021-12-29
- 【CCS分类】激光器件
- 【ICS分类】31.080.20晶体闸流管
IEC 60747-6:2016
半导体器件 - 第6部分:分立器件 - 晶闸管
- 【发布单位或类别】 IX-IEC国际电工委员会
- 【发布日期】2016-04-13
- 【CCS分类】半导体分立器件综合
- 【ICS分类】31.080.20晶体闸流管
KS C IEC 60747-6-2006(2016)
半导体器件分立器件第6部分:晶闸管
- 【发布单位或类别】 KR-KS韩国标准
- 【发布日期】2006-12-27
- 【CCS分类】微电路综合
- 【ICS分类】31.080.20晶体闸流管
DIN EN 60747-6-DRAFT
文件草案-半导体器件-分立器件-第6部分:晶闸管（IEC 47E/444/CD:2012）
- 【发布单位或类别】 DE-DIN德国标准化学会
- 【发布日期】2013-01-01
- 【CCS分类】半导体分立器件综合
- 【ICS分类】晶体闸流管
KS C IEC 60747-6-2-2006(2021)
半导体器件分立器件第6部分:晶闸管第二节:100A以下环境或外壳额定双向三极晶闸管空白详细规范
- 【发布单位或类别】 KR-KS韩国标准
- 【发布日期】2006-12-11
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】31.080.20晶体闸流管
KS C IEC 60747-6-1-2006(2021)
半导体器件分立器件第6部分:晶闸管第一节:100A以下环境或外壳额定反向阻断三极晶闸管空白详细规范
- 【发布单位或类别】 KR-KS韩国标准
- 【发布日期】2006-12-11
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】31.080.20晶体闸流管
KS C IEC 60747-6-2-2006(2016)
半导体器件分立器件第6部分:晶闸管第二节:100A及以下环境或外壳额定双向三极晶闸管空白详细规范
- 【发布单位或类别】 KR-KS韩国标准
- 【发布日期】2006-12-11
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】31.080.20晶体闸流管
KS C IEC 60747-6-3-2006(2021)
半导体器件分立器件第6部分:晶闸管第三节:电流大于100A的环境和外壳额定反向阻断三极晶闸管空白详细规范
- 【发布单位或类别】 KR-KS韩国标准
- 【发布日期】2006-12-11
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】31.080.20晶体闸流管
KS C IEC 60747-6-1-2006(2016)
半导体器件分立器件第6部分:晶闸管第一节:100A及以下环境或外壳额定反向阻断三极晶闸管空白详细规范
- 【发布单位或类别】 KR-KS韩国标准
- 【发布日期】2006-12-11
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】31.080.20晶体闸流管
KS C IEC 60747-6-3-2006(2016)
半导体器件分立器件第6部分:晶闸管第三节:电流大于100A的环境和外壳额定反向阻断三极晶闸管空白详细规范
- 【发布单位或类别】 KR-KS韩国标准
- 【发布日期】2006-12-11
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】31.080.20晶体闸流管
IEC 60747-6:2000
半导体器件 - 第6部分:晶闸管
- 【发布单位或类别】 IX-IEC国际电工委员会
- 【发布日期】2000-12-21
- 【CCS分类】
- 【ICS分类】31.080.20光电子学、激光设备
GB/T 15651.4-2017
半导体器件 分立器件 第5-4部分:光电子器件 半导体激光器
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2017-05-31
- 【CCS分类】L51
- 【ICS分类】31.260半导体器分立件综合
GB/T 20516-2006
半导体器件 分立器件 第4部分：微波器件
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2006-10-10
- 【CCS分类】L40
- 【ICS分类】31.080.01电子元器件综合
GB/T 42706.1-2023
电子元器件 半导体器件长期贮存 第1部分：总则
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2023-05-23
- 【CCS分类】L55
- 【ICS分类】31.020电子元器件综合
GB/T 42706.2-2023
电子元器件 半导体器件长期贮存 第2部分：退化机理
- 【发布单位或类别】 CN-GB国家标准
- 【发布日期】2023-05-23
- 【CCS分类】L40
- 【ICS分类】31.020
