半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT)

原创来源:北检院    发布时间:2025-04-11 15:35:44    点击数:

全国服务领域:河北、山西、黑龙江、吉林、辽宁、江苏、浙江、安徽、福建、江西、山东、河南、湖北、湖南、广东、海南、四川、贵州、云南、陕西、甘肃、青海、台湾、内蒙古、广西、西藏、宁夏、新疆、北京、天津、上海、重庆、香港、澳门

英文标题
Semiconductor devices - Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors(IGBT)
归口单位
全国半导体器件标准化技术委员会
采标关系
等同IEC 60747-9:2007

检测流程

1、确认客户委托,寄样。

2、到样之后,确定具体的试验项目以及试验方案。

3、实验室报价。

4、签订保密协议,进行试验。

5、完成试验,确定检测报告

6、后期技术服务

友情提示:暂不接受个人委托测试

以上是关于"半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT)"的介绍,如有其他问题可以咨询工程师为您服务!

实验室仪器

实验室仪器

荣誉资质

荣誉资质

半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT)

© 2024 北检(北京)检测技术研究院 ALL RIGHTS RESERVED