半导体晶圆缺陷暗场检测

原创来源：北检院    发布时间：2025-06-23 15:17:53    点击数：

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信息概要

半导体晶圆缺陷暗场检测是一种通过光学暗场成像技术识别晶圆表面微小缺陷的高精度检测方法。该技术利用暗场照明抑制背景杂散光，突出缺陷的散射信号，可检测纳米级颗粒、划痕、晶体缺陷等。检测的重要性在于，晶圆缺陷直接影响芯片良率和性能，早期发现缺陷可减少后续工艺成本，提升产品可靠性。第三方检测机构提供专业、客观的检测服务，帮助客户优化生产工艺并满足行业标准。

检测项目

表面颗粒污染,划痕检测,晶体缺陷,残留物分析,金属污染,氧化层缺陷,光刻胶残留,边缘崩边,表面粗糙度,层间对准偏差,薄膜厚度均匀性,刻蚀残留,掺杂不均匀,晶格畸变,位错密度,空洞缺陷,裂纹检测,污染离子浓度,表面反射率异常,图形尺寸偏差

检测范围

硅晶圆,碳化硅晶圆,砷化镓晶圆,氮化镓晶圆,磷化铟晶圆,SOI晶圆,外延片,抛光片,研磨片,裸片,图案化晶圆,测试晶圆,再生晶圆,化合物半导体晶圆,超薄晶圆,大尺寸晶圆,柔性晶圆,异质结晶圆,绝缘体上硅晶圆,多晶硅晶圆

检测方法

暗场光学显微术：利用非直射光路增强缺陷散射信号

激光散射检测：通过激光扫描量化表面颗粒数量

电子束检测：高分辨率电子显微镜定位纳米级缺陷

原子力显微镜：三维形貌分析表面微观结构

X射线衍射：检测晶格畸变和应力分布

光致发光谱：识别材料内部复合缺陷

拉曼光谱：分析晶体质量和应力状态

椭圆偏振法：测量薄膜厚度和光学常数

表面扫描声学显微镜：探测亚表面空洞和分层

二次离子质谱：检测表面污染元素成分

红外显微术：识别有机污染物和水分

白光干涉仪：表面形貌三维重建

俄歇电子能谱：表面元素化学态分析

热波检测：热扩散特性评估材料均匀性

微波反射检测：非接触式载流子浓度测量

检测仪器

暗场光学显微镜,激光散射仪,扫描电子显微镜,原子力显微镜,X射线衍射仪,光致发光谱仪,拉曼光谱仪,椭圆偏振仪,声学显微镜,二次离子质谱仪,红外显微镜,白光干涉仪,俄歇电子能谱仪,热波检测系统,微波反射计

检测流程

1、确认客户委托，寄样。

2、到样之后，确定具体的试验项目以及试验方案。

3、实验室报价。

4、签订保密协议，进行试验。

5、完成试验，确定检测报告

6、后期技术服务

友情提示：暂不接受个人委托测试

以上是关于"半导体晶圆缺陷暗场检测"的介绍，如有其他问题可以咨询工程师为您服务！

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