栅氧层击穿检测

原创来源：北检院    发布时间：2025-07-02 05:36:57    点击数：

全国服务领域：河北、山西、黑龙江、吉林、辽宁、江苏、浙江、安徽、福建、江西、山东、河南、湖北、湖南、广东、海南、四川、贵州、云南、陕西、甘肃、青海、台湾、内蒙古、广西、西藏、宁夏、新疆、北京、天津、上海、重庆、香港、澳门

信息概要

栅氧层击穿检测是半导体器件可靠性测试中的重要环节，主要用于评估栅氧层的绝缘性能和耐久性。栅氧层作为MOSFET等器件的关键组成部分，其质量直接影响器件的性能和寿命。通过检测栅氧层的击穿电压、漏电流等参数，可以及时发现潜在缺陷，避免因栅氧层失效导致的器件故障。该检测对于确保半导体产品的可靠性、稳定性和安全性具有重要意义，广泛应用于集成电路、功率器件等领域。

检测项目

击穿电压，漏电流，栅氧层厚度，界面态密度，陷阱电荷密度，时间依赖介电击穿（TDDB），应力诱导漏电流（SILC），介电常数，缺陷密度，表面粗糙度，热载流子效应，偏压温度不稳定性（BTI），栅氧层完整性，电荷 trapping 效应，击穿能量，击穿时间，电场分布，界面陷阱能级，氧化层陷阱密度，应力电压下的寿命预测

检测范围

MOSFET，IGBT，FinFET，CMOS，DRAM，Flash存储器，功率半导体，射频器件，传感器，MEMS，模拟集成电路，数字集成电路，高压器件，低功耗器件，光电器件，SiC器件，GaN器件，SOI器件，纳米器件，三维集成电路

检测方法

时间依赖介电击穿（TDDB）测试：通过施加恒定电压或阶梯电压，测量栅氧层击穿时间。

电流-电压（I-V）特性测试：测量栅氧层在不同电压下的漏电流特性。

电容-电压（C-V）特性测试：评估栅氧层的介电性能和界面态密度。

电荷泵测试：用于检测栅氧层与硅衬底界面处的陷阱电荷。

热载流子注入测试：模拟高电场下热载流子对栅氧层的损伤。

偏压温度不稳定性（BTI）测试：评估器件在高温和偏压下的稳定性。

扫描电子显微镜（SEM）观察：直观检查栅氧层的表面形貌和缺陷。

透射电子显微镜（TEM）分析：观察栅氧层的微观结构和界面特性。

原子力显微镜（AFM）测量：评估栅氧层的表面粗糙度。

椭偏仪测试：非接触式测量栅氧层的厚度和光学常数。

二次离子质谱（SIMS）分析：检测栅氧层中的杂质分布。

X射线光电子能谱（XPS）分析：研究栅氧层的化学组成和键合状态。

深能级瞬态谱（DLTS）测试：分析栅氧层中的深能级陷阱。

噪声测试：通过低频噪声分析评估栅氧层的缺陷密度。

电致发光测试：检测栅氧层击穿前后的发光特性。

检测仪器

半导体参数分析仪，探针台，椭偏仪，原子力显微镜，扫描电子显微镜，透射电子显微镜，二次离子质谱仪，X射线光电子能谱仪，深能级瞬态谱仪，噪声分析仪，电致发光检测系统，高精度源表，恒温恒湿箱，高温烤箱，快速热处理炉

检测流程

1、确认客户委托，寄样。

2、到样之后，确定具体的试验项目以及试验方案。

3、实验室报价。

4、签订保密协议，进行试验。

5、完成试验，确定检测报告

6、后期技术服务

友情提示：暂不接受个人委托测试

以上是关于"栅氧层击穿检测"的介绍，如有其他问题可以咨询工程师为您服务！

实验室仪器

荣誉资质