DRAM电容硅片深耗尽CV法掺杂分析

原创来源：北检院    发布时间：2025-06-12 18:11:56    点击数：

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信息概要

DRAM电容硅片深耗尽CV法掺杂分析是一种用于评估动态随机存取存储器（DRAM）中电容硅片掺杂浓度和分布的关键技术。该检测方法通过深耗尽电容-电压（CV）测量，精确分析硅片中掺杂剂的浓度及其纵向分布，确保器件性能符合设计要求。检测的重要性在于，掺杂浓度直接影响DRAM的电荷存储能力、响应速度和可靠性，因此精准的掺杂分析是优化生产工艺、提升产品良率和性能的必要手段。

检测项目

掺杂浓度, 载流子浓度分布, 界面态密度, 平带电压, 氧化层厚度, 耗尽层宽度, 电容-电压特性, 漏电流, 介电常数, 陷阱电荷密度, 表面势, 费米能级位置, 杂质激活能, 迁移率, 击穿电压, 温度稳定性, 频率响应, 应力效应, 可靠性分析, 工艺一致性

检测范围

单晶硅片, 多晶硅片, SOI硅片, 外延硅片, 掺杂硅片, 非掺杂硅片, 高阻硅片, 低阻硅片, 薄硅片, 厚硅片, 抛光硅片, 粗糙硅片, 图案化硅片, 非图案化硅片, 高温退火硅片, 低温退火硅片, 离子注入硅片, 扩散掺杂硅片, 氮化硅覆盖硅片, 氧化硅覆盖硅片

检测方法

深耗尽电容-电压（CV）法：通过测量不同偏压下的电容值，分析掺杂浓度分布。

高频CV法：在高频条件下测量电容，减少界面态影响。

低频CV法：在低频条件下测量电容，捕获界面态信息。

准静态CV法：通过慢扫描电压测量电容，用于高精度分析。

温度依赖性CV法：在不同温度下测量CV曲线，研究热效应。

频率扫描CV法：通过改变频率分析介电响应。

应力CV法：施加机械或电应力，研究稳定性。

瞬态电容法：测量电容随时间的变化，分析陷阱电荷。

载流子寿命测量：通过光电导衰减法评估载流子寿命。

霍尔效应测量：确定载流子浓度和迁移率。

二次离子质谱（SIMS）：用于掺杂元素的深度分布分析。

扫描电子显微镜（SEM）：观察硅片表面形貌。

原子力显微镜（AFM）：高分辨率表面形貌分析。

X射线衍射（XRD）：研究晶体结构和应力。

椭偏仪测量：精确测定薄膜厚度和光学常数。

检测仪器

CV分析仪, 阻抗分析仪, 半导体参数分析仪, 霍尔效应测量系统, 二次离子质谱仪, 扫描电子显微镜, 原子力显微镜, X射线衍射仪, 椭偏仪, 光电导衰减测试仪, 探针台, 高温退火炉, 低温恒温器, 频率发生器, 示波器

检测流程

1、确认客户委托，寄样。

2、到样之后，确定具体的试验项目以及试验方案。

3、实验室报价。

4、签订保密协议，进行试验。

5、完成试验，确定检测报告

6、后期技术服务

友情提示：暂不接受个人委托测试

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